MT53E512M32D1ZW-046 IT:B 是一款由 Micron(美光)制造的 DDR3L SDRAM 芯片,專為低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。DDR3L(Low Voltage)工作在較低的電壓下�1.35V),適用于筆記本電腦、平板電腦和其他�(duì)功耗敏感的�(shè)�。該芯片具有高密度存�(chǔ)能力,單顆容量為 4Gb�512MB x 8�,采� FBGA 封裝形式,提供出色的性能和可靠��
DDR3L 技�(shù)通過(guò)提高�(shù)�(jù)傳輸速率和降低功耗,成為�(dāng)�(shí)主流的內(nèi)存解決方案之一�
容量�4Gb (512MB x 8)
類型:DDR3L SDRAM
電壓�1.35V
速度�1600 Mbps
封裝:FBGA 96-ball
組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
工作溫度�-40°C � +85°C
引腳間距�1.0mm
I/O �(biāo)�(zhǔn):LVSTL 1.35V
MT53E512M32D1ZW-046 IT:B 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 支持 DDR3L �(biāo)�(zhǔn),工作電壓為 1.35V,相比標(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更節(jié)��
2. �(shù)�(jù)傳輸速率�(dá)� 1600 Mbps,滿足高性能�(jì)算需��
3. 使用 FBGA 封裝技�(shù),具有較小的尺寸和良好的電氣性能�
4. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自定時(shí)自刷新功�,減少系�(tǒng)功��
5. 支持突發(fā)�(zhǎng)度為 8,提高了�(shù)�(jù)吞吐��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工��
7. 工作溫度范圍�,適合多種環(huán)境下的應(yīng)��
8. 高可靠性和�(zhǎng)壽命,適用于工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備�
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 筆記本電腦和超極本中的內(nèi)存模��
2. 平板電腦和其他移�(dòng)�(shè)備的�(nèi)存擴(kuò)��
3. 嵌入式系�(tǒng)和工�(yè)�(jì)算機(jī)中的存儲(chǔ)解決方案�
4. �(wǎng)�(luò)�(shè)備如路由器和交換�(jī)的緩��
5. 游戲主機(jī)和其他高性能�(jì)算平�(tái)�
其低功耗特性和高性能使其成為便攜式和移動(dòng)�(shè)備的理想選擇�
MT53E512M32D1NW-046 IT:B
MT53E512M32D1HW-046 IT:B
MT53E512M32D1JW-046 IT:B