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MT53E512M32D1ZW-046 IT:B 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 11:06:41 查看 閱讀�18

MT53E512M32D1ZW-046 IT:B 是一款由 Micron(美光)制造的 DDR3L SDRAM 芯片,專為低功耗應(yīng)用設(shè)�(jì)。DDR3L(Low Voltage)工作在較低的電壓下�1.35V),適用于筆記本電腦、平板電腦和其他�(duì)功耗敏感的�(shè)�。該芯片具有高密度存�(chǔ)能力,單顆容量為 4Gb�512MB x 8�,采� FBGA 封裝形式,提供出色的性能和可靠��
  DDR3L 技�(shù)通過(guò)提高�(shù)�(jù)傳輸速率和降低功耗,成為�(dāng)�(shí)主流的內(nèi)存解決方案之一�

參數(shù)

容量�4Gb (512MB x 8)
  類型:DDR3L SDRAM
  電壓�1.35V
  速度�1600 Mbps
  封裝:FBGA 96-ball
  組織�(jié)�(gòu)�512M x 8
  工作溫度�-40°C � +85°C
  引腳間距�1.0mm
  I/O �(biāo)�(zhǔn):LVSTL 1.35V

特�

MT53E512M32D1ZW-046 IT:B 具有以下�(guān)鍵特性:
  1. 支持 DDR3L �(biāo)�(zhǔn),工作電壓為 1.35V,相比標(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更節(jié)��
  2. �(shù)�(jù)傳輸速率�(dá)� 1600 Mbps,滿足高性能�(jì)算需��
  3. 使用 FBGA 封裝技�(shù),具有較小的尺寸和良好的電氣性能�
  4. �(nèi)置自�(dòng)刷新和自定時(shí)自刷新功�,減少系�(tǒng)功��
  5. 支持突發(fā)�(zhǎng)度為 8,提高了�(shù)�(jù)吞吐��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛工��
  7. 工作溫度范圍�,適合多種環(huán)境下的應(yīng)��
  8. 高可靠性和�(zhǎng)壽命,適用于工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備�

�(yīng)�

這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 筆記本電腦和超極本中的內(nèi)存模��
  2. 平板電腦和其他移�(dòng)�(shè)備的�(nèi)存擴(kuò)��
  3. 嵌入式系�(tǒng)和工�(yè)�(jì)算機(jī)中的存儲(chǔ)解決方案�
  4. �(wǎng)�(luò)�(shè)備如路由器和交換�(jī)的緩��
  5. 游戲主機(jī)和其他高性能�(jì)算平�(tái)�
  其低功耗特性和高性能使其成為便攜式和移動(dòng)�(shè)備的理想選擇�

替代型號(hào)

MT53E512M32D1NW-046 IT:B
  MT53E512M32D1HW-046 IT:B
  MT53E512M32D1JW-046 IT:B

mt53e512m32d1zw-046 it:b推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

mt53e512m32d1zw-046 it:b參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1,360 : �120.29704托盤
  • 系列-
  • 包裝托盤
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類�易失
  • 存儲(chǔ)器格�DRAM
  • 技�(shù)SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存儲(chǔ)容量16Gb
  • 存儲(chǔ)器組�512M x 32
  • 存儲(chǔ)器接�并聯(lián)
  • �(shí)鐘頻�2.133 GHz
  • 寫周期時(shí)� - �,頁(yè)18ns
  • 訪問(wèn)�(shí)�3.5 ns
  • 電壓 - 供電1.06V ~ 1.17V
  • 工作溫度-40°C ~ 95°C(TC�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼200-TFBGA
  • 供應(yīng)商器件封�200-TFBGA�10x14.5�