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CDR31BX332BMZMAT 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 21:39:36 查看 閱讀�7

CDR31BX332BMZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料�(shè)�(jì)� MOSFET 功率器件,廣泛應(yīng)用于高效率、高頻開�(guān)場景�。該芯片具有出色的熱性能和低�(dǎo)通電阻特�,適用于工業(yè)電源、電�(dòng)汽車、太陽能逆變器等�(lǐng)域的高性能功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
  這款 SiC MOSFET 的設(shè)�(jì)使其在高頻開�(guān)條件下仍能保持高效的能量�(zhuǎn)換,并且能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��

參數(shù)

型號:CDR31BX332BMZMAT
  類型:SiC MOSFET
  耐壓�1200V
  連續(xù)漏極電流�33A
  �(dǎo)通電阻:1.9mΩ(典型值)
  柵極電荷�75nC(最大值)
  開關(guān)頻率:最高支持超� 1MHz
  封裝形式:TO-247-4L

特�

CDR31BX332BMZMAT 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓確保其能夠在高壓環(huán)境下工作,例如新能源汽車的逆變器或光伏系統(tǒng)的功率模��
  2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 1.9mΩ 的典型導(dǎo)通電阻可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升整體效��
  3. 快速開�(guān)性能:得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,該器件能夠� MHz 級別的頻率運(yùn)�,適合高頻應(yīng)��
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)極端�(huán)境條��
  5. 耐高溫封裝:采用 TO-247-4L 封裝,具備良好的散熱性能,同�(shí)提供四引腳設(shè)�(jì)以優(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)回路布局�
  6. 可靠性高:通過了嚴(yán)格的可靠性測試,滿足 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于汽車級應(yīng)��

�(yīng)�

CDR31BX332BMZMAT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源�,需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合�
  2. 新能源汽車:用于車載充電器(OBC)、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)控制��
  3. 光伏逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量采集與�(zhuǎn)�,特別是在組串式逆變器中�
  4. UPS 系統(tǒng):為不間斷電源提供更高的效率和更小的體積�
  5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器:利用其快速開�(guān)能力來設(shè)�(jì)緊湊型電源解決方��
  6. 其他功率�(zhuǎn)換設(shè)備:如無線充電站、儲(chǔ)能系�(tǒng)��

替代型號

CDR31BX332BMZMATN, CDR31AX332BMZMAT

cdr31bx332bmzmat參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列Military, MIL-PRF-55681, CDR31
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3300 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)BX
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級-
  • �(yīng)�高可靠�
  • 故障�M�1%�
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.051"�1.30mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-