CDR31BX332BMZMAT 是一款基于碳化硅 (SiC) 材料�(shè)�(jì)� MOSFET 功率器件,廣泛應(yīng)用于高效率、高頻開�(guān)場景�。該芯片具有出色的熱性能和低�(dǎo)通電阻特�,適用于工業(yè)電源、電�(dòng)汽車、太陽能逆變器等�(lǐng)域的高性能功率�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
這款 SiC MOSFET 的設(shè)�(jì)使其在高頻開�(guān)條件下仍能保持高效的能量�(zhuǎn)換,并且能夠在較寬的工作溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
型號:CDR31BX332BMZMAT
類型:SiC MOSFET
耐壓�1200V
連續(xù)漏極電流�33A
�(dǎo)通電阻:1.9mΩ(典型值)
柵極電荷�75nC(最大值)
開關(guān)頻率:最高支持超� 1MHz
封裝形式:TO-247-4L
CDR31BX332BMZMAT 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力�1200V 的額定電壓確保其能夠在高壓環(huán)境下工作,例如新能源汽車的逆變器或光伏系統(tǒng)的功率模��
2. 低導(dǎo)通電阻:僅為 1.9mΩ 的典型導(dǎo)通電阻可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升整體效��
3. 快速開�(guān)性能:得益于碳化硅材料的�(yōu)異性能,該器件能夠� MHz 級別的頻率運(yùn)�,適合高頻應(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在 -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)�(wěn)定工作,適應(yīng)極端�(huán)境條��
5. 耐高溫封裝:采用 TO-247-4L 封裝,具備良好的散熱性能,同�(shí)提供四引腳設(shè)�(jì)以優(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)回路布局�
6. 可靠性高:通過了嚴(yán)格的可靠性測試,滿足 AEC-Q101 �(biāo)�(zhǔn),適用于汽車級應(yīng)��
CDR31BX332BMZMAT 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源:如服務(wù)器電�、通信電源�,需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合�
2. 新能源汽車:用于車載充電器(OBC)、DC-DC �(zhuǎn)換器和電�(jī)控制��
3. 光伏逆變器:�(shí)�(xiàn)高效的能量采集與�(zhuǎn)�,特別是在組串式逆變器中�
4. UPS 系統(tǒng):為不間斷電源提供更高的效率和更小的體積�
5. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器:利用其快速開�(guān)能力來設(shè)�(jì)緊湊型電源解決方��
6. 其他功率�(zhuǎn)換設(shè)備:如無線充電站、儲(chǔ)能系�(tǒng)��
CDR31BX332BMZMATN, CDR31AX332BMZMAT