MT47H256M8EB-25E 是由 Micron(美光)生產(chǎn)的一� DDR3 SDRAM 芯片,廣泛應用于計算機系�(tǒng)、服務器和嵌入式設備�。該芯片屬于高密度存儲解決方�,具有較高的�(shù)�(jù)傳輸速率和低功耗特�,能夠滿足現(xiàn)代電子設備對高性能�(nèi)存的需求�
DDR3 技術通過改進的�(shù)�(jù)預取架構、更高的時鐘頻率以及更低的工作電壓,顯著提升了數(shù)�(jù)吞吐量并降低了能��
容量�2Gb
組織方式�256M x 8
工作電壓�1.35V
�(shù)�(jù)速率�2500Mbps (PC3-2000)
封裝形式:FBGA
引腳�(shù)�96-ball
工作溫度范圍�-40°C to +85°C
存取時間:CL=11
刷新模式:自動刷�
MT47H256M8EB-25E 具有以下主要特性:
1. 支持 DDR3L 標準,適用于需要較低工作電壓的場景�
2. �(shù)�(jù)速率達到 2500Mbps,提供快速的�(shù)�(jù)傳輸能力�
3. �(nèi)� DLL(延遲鎖定環(huán)路),確保信號完整性并�(yōu)化時序性能�
4. 配備 ODT(板載終端電阻)功能,減少信號反射并提高多負載環(huán)境下的穩(wěn)定��
5. 支持 ECC(錯誤校驗與糾正)功�,增強數(shù)�(jù)可靠��
6. 符合 JEDEC 標準,易于與其他兼容組件集成�
7. 工作溫度范圍�,適合工�(yè)及商�(yè)應用�(huán)境�
MT47H256M8EB-25E 主要應用于以下領域:
1. 臺式機和筆記本電腦的主內(nèi)存模��
2. 嵌入式系�(tǒng)中的高速緩存和�(shù)�(jù)存儲�
3. �(wǎng)絡通信設備,如路由器和交換機�
4. �(yī)療成像設備和其他對數(shù)�(jù)處理速度要求較高的應��
5. 工業(yè)自動化控制器和實時監(jiān)控系�(tǒng)�
其高性能和低功耗特點使其成為眾多電子設備的理想選擇�
MT47H256M8HB-25E
MT47H256M8RR-25E
MT47H256M8RT-25E