MT41K512M8RH-125:E 是由 Micron Technology(美光科技)生�(chǎn)的一� DDR3L SDRAM 芯片。DDR3L � DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,主要應(yīng)用于�(duì)功耗要求較高的�(chǎng)�,如筆記本電腦、平板設(shè)備和嵌入式系�(tǒng)�。這款芯片的容量為 512Mb�64MB),采用 x8 �(shù)�(jù)寬度,封裝形式為 FBGA(Fine Pitch Ball Grid Array)。其命名中的 -125 表示該芯片的最大時(shí)鐘頻率為 125MHz�
類型:DDR3L SDRAM
容量�512Mb (64MB)
�(shù)�(jù)寬度:x8
工作電壓�1.35V
最大時(shí)鐘頻率:125MHz
封裝形式:FBGA
引腳�(shù)�96
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
MT41K512M8RH-125:E 提供了較低的工作電壓�1.35V),相比�(biāo)�(zhǔn) DDR3 � 1.5V 更加節(jié)�。其�(nèi)部結(jié)�(gòu)基于單體 512Mb 存儲(chǔ)單元�(shè)�(jì),支持突�(fā)�(zhǎng)度為 8 � 4 的讀�(xiě)操作�
此外,它具備以下特點(diǎn)�
1. 支持 CAS 延遲(CL)設(shè)�,典型值為 CL=7�
2. 具備自動(dòng)刷新和自刷新功能,確保數(shù)�(jù)在斷電或低功耗模式下的完整��
3. �(nèi)置溫度補(bǔ)償刷新(TCR)機(jī)�,可以根�(jù)�(huán)境溫度動(dòng)�(tài)�(diào)整刷新速率�
4. 支持熱插拔和即插即用功能�
5. 符合 JEDEC DDR3L �(biāo)�(zhǔn)�(guī)��
6. 采用�(wú)鉛環(huán)保封裝技�(shù),符� RoHS �(biāo)�(zhǔn)�
MT41K512M8RH-125:E 主要�(yīng)用于需要低功耗存�(chǔ)解決方案的領(lǐng)域,包括但不限于�
1. 筆記本電腦和超極��
2. 平板電腦和其他移�(dòng)�(shè)��
3. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)�
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備�
5. �(yī)療電子設(shè)��
6. 汽車電子系統(tǒng)�
由于其低電壓和高可靠性,這款芯片非常適合用于電池供電�(shè)備或?qū)拿舾械膽?yīng)用場(chǎng)��
MT41K512M8RE-125:E