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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > NCE01ND03S

NCE01ND03S 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 12:43:03 查看 閱讀�24

NCE01ND03S 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,廣泛應(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)換領(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高效率的特�(diǎn),適用于要求高功率密度和高效率的�(yīng)用場(chǎng)景�
  它采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),確保了良好的散熱性能,并且能夠承受較高的工作電壓。NCE01ND03S 在設(shè)�(jì)上注重降低開�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,非常適合于同步整流、DC-DC �(zhuǎn)換器以及 AC-DC 電源等應(yīng)��

參數(shù)

額定電壓�650V
  額定電流�24A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�12nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:�(wú)(因 GaN 技�(shù)�(wú)反向恢復(fù)電荷�
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247

特�

NCE01ND03S 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(8mΩ�,可以有效減少導(dǎo)通損�,提升整體效��
  2. 高速開�(guān)性能,開�(guān)頻率可高�(dá) 2MHz,適合高頻應(yīng)��
  3. 氮化鎵技�(shù)消除了傳�(tǒng)� MOSFET 的反向恢�(fù)�(wèn)題,�(jìn)一步降低了開關(guān)損��
  4. 支持高電壓操作(650V�,在寬輸入電壓范圍內(nèi)表現(xiàn)�(yōu)異�
  5. 高溫�(wěn)定性,能夠� -55°C � +175°C 的溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)��
  6. 先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì)增強(qiáng)了散熱性能,提高了功率處理能力�

�(yīng)�

NCE01ND03S 廣泛�(yīng)用于需要高效率和高頻工作的電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 電動(dòng)汽車充電�
  3. �(shù)�(jù)中心供電系統(tǒng)
  4. 太陽(yáng)能逆變�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)
  6. USB-PD 快充適配�
  其高功率密度和效率使其成為現(xiàn)代電力轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的理想選��

替代型號(hào)

NCE01ND03P
  NCE02ND03S
  GAN063-650WSA

nce01nd03s推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)