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MT41K256M16TW-107P 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/22 12:15:39 查看 閱讀：18

MT41K256M16TW-107P 是由 Micron（美光科技）生產(chǎn)的一款 DDR3L SDRAM 存儲(chǔ)芯片，采用先進(jìn)的制程工藝制造。該芯片具有低功耗和高性能的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于筆記本電腦、平板電腦、嵌入式系統(tǒng)以及其他便攜式電子設(shè)備中。
　　DDR3L（Low Voltage）技術(shù)使得該芯片能夠在較低的電壓下運(yùn)行，從而減少功耗并延長(zhǎng)電池續(xù)航時(shí)間。

參數(shù)

類(lèi)型：DDR3L SDRAM
　　容量：2GB (256Mb x 16)
　　工作電壓：1.35V
　　數(shù)據(jù)速率：800 MT/s
　　封裝類(lèi)型：FBGA 96-ball
　　I/O 標(biāo)準(zhǔn)：LVDS
　　時(shí)鐘周期：1.25 ns
　　數(shù)據(jù)寬度：16 bits

特性

MT41K256M16TW-107P 芯片支持 DDR3L 的關(guān)鍵特性，包括低功耗模式、ODT（On-Die Termination）功能以及高性能的數(shù)據(jù)傳輸能力。其主要特點(diǎn)如下：
　　1. 支持高達(dá) 800 MT/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率，滿(mǎn)足現(xiàn)代計(jì)算設(shè)備對(duì)速度的需求。
　　2. 工作電壓為 1.35V，相比標(biāo)準(zhǔn) DDR3 的 1.5V 更加節(jié)能。
　　3. 內(nèi)置 ODT 功能以?xún)?yōu)化信號(hào)完整性。
　　4. 小型化的 FBGA 封裝設(shè)計(jì)，適合空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
　　5. 具備省電模式，可根據(jù)系統(tǒng)需求動(dòng)態(tài)調(diào)整功耗。

應(yīng)用

該芯片適用于多種需要低功耗存儲(chǔ)解決方案的場(chǎng)合，具體包括：
　　1. 筆記本電腦和超極本。
　　2. 平板電腦和其他移動(dòng)設(shè)備。
　　3. 嵌入式系統(tǒng)，例如工業(yè)控制設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。
　　4. 智能電視和機(jī)頂盒等消費(fèi)電子產(chǎn)品。
　　5. 物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備中的數(shù)據(jù)緩沖與存儲(chǔ)功能。

替代型號(hào)

MT41K256M16HA-125 IT, MT41K256M16TW-125, MT41K256M16JT-125

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