MT41J256M16HA-125:E 是由 Micron(美光)生產(chǎn)的一� DDR3L SDRAM 芯片。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝制�,具有低功耗、高性能的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于移動(dòng)�(shè)備、嵌入式系統(tǒng)和其他對(duì)功耗敏感的�(yīng)用場(chǎng)�。DDR3L � DDR3 的低電壓版本,工作電壓為 1.35V,相較于�(biāo)�(zhǔn)� DDR3�1.5V)可以�(jìn)一步降低功��
該型�(hào)具體� 256M x 16 的配�,單顆芯片提� 4GB 的存�(chǔ)容量。其�(shè)�(jì)符合 JEDEC �(biāo)�(zhǔn),支持高帶寬�(shù)�(jù)傳輸和多種時(shí)鐘頻��
�(lèi)型:DDR3L SDRAM
容量�256Mb x 16�4GB�
電壓�1.35V
速度等級(jí)�125MHz(等效數(shù)�(jù)傳輸速率 1066Mbps�
封裝形式:FBGA 96-ball
�(shù)�(jù)寬度�16�
引腳間距�1.0mm
工作溫度�-40°C � +85°C
引腳配置�96� FBGA
MT41J256M16HA-125:E 是一款高度優(yōu)化的低功� DDR3L 存儲(chǔ)芯片,主要特�(diǎn)包括�
1. 工作電壓僅為 1.35V,比傳統(tǒng) DDR3 � 1.5V 更節(jié)�,適用于電池供電�(shè)備�
2. 支持高達(dá) 1066Mbps 的數(shù)�(jù)傳輸速率,滿足現(xiàn)代計(jì)算和多媒體應(yīng)用的高帶寬需��
3. 采用緊湊� FBGA 96 球封�,適合空間受限的�(shè)�(jì)�
4. �(nèi)部包含自�(dòng)刷新、電源管理等功能模塊,簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)�
5. 支持突發(fā)�(zhǎng)度為 8 � CAS 延遲范圍� 7 � 11 的靈活配�,適�(yīng)多種�(yīng)用場(chǎng)��
6. 具備 ECC(錯(cuò)誤校正碼)功能選�(xiàng),提高數(shù)�(jù)可靠��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
8. 提供工業(yè)�(jí)的工作溫度范圍(-40°C � +85°C),確保在惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定��
MT41J256M16HA-125:E 適用于對(duì)性能和功耗要求較高的�(yīng)用領(lǐng)域,主要包括�
1. 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)�(shè)��
2. 嵌入式系�(tǒng),例如網(wǎng)�(luò)路由器、交換機(jī)和工�(yè)控制�(shè)��
3. �(shù)字電�、機(jī)頂盒和其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)��
4. �(yī)療設(shè)備和便攜式測(cè)�?jī)x器�
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的信息娛樂(lè)和導(dǎo)航模��
6. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT)終端設(shè)備,如智能傳感器和監(jiān)�?cái)z像頭�
其低功耗特性和高密度存�(chǔ)能力使其成為許多�(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇�
MT41J256M16HA-125:IT, MT41J256M16HT-125:IT