TK11A65D是一款基于IGBT技術的功率半導體器�,主要用于高頻開關應用。該型號中的STA4,X,M表示特定的應用封裝和技術參�(shù)配置。它適用于工�(yè)電機控制、逆變�、不間斷電源(UPS)以及各種需要高效功率轉換的場景�
這款IGBT采用了先進的溝槽柵極結構和場截止技�,以降低開關損耗并提高效率。其額定電壓�650V,能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
額定電壓�650V
額定電流�11A
集電�-�(fā)射極飽和電壓:≤1.7V
門極閾值電壓:3V~5V
開關頻率范圍�20kHz~100kHz
最大結溫:150�
存儲溫度范圍�-55℃~150�
1. 高效低損耗設計,適用于高頻開關應用場��
2. 采用溝槽柵極技術和場截止層,優(yōu)化了導通和開關性能�
3. 具備短路保護功能,增強器件的魯棒��
4. 封裝形式緊湊,便于集成到�(xiàn)代電力電子設備中�
5. 良好的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下的可靠運行�
6. 提供精確的動�(tài)參數(shù),簡化驅動電路設計�
1. 工業(yè)變頻器及伺服驅動系統(tǒng)�
2. 不間斷電源(UPS)和太陽能逆變��
3. 家用電器中的電機驅動控制�
4. 電動汽車充電樁及相關功率轉換設備�
5. 照明電源和高效功率因�(shù)校正(PFC)模��
6. 各種需要快速開關和高效率的功率變換場合�
IRGB11C60D
FZ12R12KE3
CSD19538KCS