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MT18N8R2D500CT 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/26 14:06:26 查看 閱讀:8

MT18N8R2D500CT 是一款由 Micron(美光科技)生產(chǎn)的 DDR5 SDRAM 內(nèi)存芯片。這款芯片主要用于服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)和筆記本電腦等設(shè)備中,提供高速的數(shù)據(jù)傳輸能力和大容量的存儲(chǔ)空間。DDR5 技術(shù)相比前代 DDR4 提供了更高的帶寬、更低的功耗以及更優(yōu)的性能表現(xiàn)。
  該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝制造,能夠在低電壓下運(yùn)行,同時(shí)支持 ECC(糾錯(cuò)碼)功能以提升數(shù)據(jù)的可靠性。其設(shè)計(jì)符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn),并廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、人工智能和大數(shù)據(jù)分析等領(lǐng)域。

參數(shù)

類型:DDR5 SDRAM
  容量:8 Gb (1 GB)
  組織方式:16 Bank Groups x 32 Banks
  位寬:x8/x16/x32
  工作電壓:1.1V
  數(shù)據(jù)速率:4800 Mbps 至 6400 Mbps
  封裝形式:FBGA 76-ball
  溫度范圍:-40°C 至 +125°C
  引腳間距:0.8 mm

特性

MT18N8R2D500CT 使用 DDR5 技術(shù),具備以下主要特點(diǎn):
  1. 高速數(shù)據(jù)傳輸:支持高達(dá) 6400 Mbps 的數(shù)據(jù)速率,確保高效的內(nèi)存訪問速度。
  2. 更高的密度:?jiǎn)晤w芯片提供 8Gb 的容量,能夠滿足現(xiàn)代系統(tǒng)對(duì)大內(nèi)存的需求。
  3. 改進(jìn)的電源管理:采用 1.1V 工作電壓,相比 DDR4 的 1.2V 進(jìn)一步降低了功耗。
  4. ECC 功能:支持片上 ECC 糾錯(cuò)功能,顯著提高數(shù)據(jù)完整性和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
  5. 多 BANK 設(shè)計(jì):通過多 Bank Group 結(jié)構(gòu)優(yōu)化了并發(fā)操作能力,從而提升了整體性能。
  6. 超高可靠性和耐用性:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,適用于各種苛刻的工作環(huán)境。

應(yīng)用

MT18N8R2D500CT 主要用于需要高性能內(nèi)存的場(chǎng)景,例如:
  1. 服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心:為云計(jì)算、虛擬化和其他關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用提供強(qiáng)大的內(nèi)存支持。
  2. 高端個(gè)人計(jì)算機(jī):在游戲 PC 和工作站中實(shí)現(xiàn)快速的數(shù)據(jù)處理和圖形渲染。
  3. 筆記本電腦:增強(qiáng)移動(dòng)設(shè)備的性能,同時(shí)保持較低的功耗。
  4. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng):支持實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)分析和復(fù)雜的工業(yè)自動(dòng)化任務(wù)。
  5. 人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí):加速模型訓(xùn)練和推理過程中的內(nèi)存訪問需求。

替代型號(hào)

MT18N8R2D400CT, MT18N8R2D525CT

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