MT18N6R0D500CT是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高頻和高效率功率轉換應�。該器件采用先進的封裝設計,能夠提供卓越的開關性能和熱管理能力�
該型號專為高頻率、高效率的應用場景設�,如DC-DC轉換器、無線充電設備以及電信電源等。其核心�(yōu)勢在于低導通電阻和快速開關特�,能夠在高頻工作條件下顯著減少損��
類型:增強型場效應晶體管 (E-FET)
材料:氮化鎵 (GaN)
額定電壓�650V
額定電流�20A
導通電阻:45mΩ
最大柵極電壓:+6V/-4V
開關頻率:支持高�5MHz
封裝形式:TO-247-3L
MT18N6R0D500CT具有以下關鍵特性:
1. 高效的開關性能,適合高頻功率轉換應��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳導損耗�
3. 快速開關速度,有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 良好的熱性能設計,確保在高功率應用中的穩(wěn)定運��
5. 支持寬范圍的工作溫度�-55°C�+150°C�,適應各種惡劣環(huán)��
6. 采用增強型氮化鎵技�,具備更高的可靠性和耐用��
這些特點使得MT18N6R0D500CT成為高效�、高性能功率轉換系統(tǒng)的理想選擇�
這款氮化鎵晶體管廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和DC-DC轉換器�
2. 通信基站電源模塊�
3. 工業(yè)電機驅動和伺服控制系�(tǒng)�
4. 汽車電子及車載充電器(OBC��
5. �(shù)據中心服務器電源�
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源轉換設備�
由于其出色的高頻特性和低損�,MT18N6R0D500CT特別適合需要高效率和小尺寸設計的功率轉換解決方��
MT18N6R0D500FT, MT19N6R0D500CT