時間：2025/5/30 19:24:28
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MT15N7R0C500CT 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），專為高頻和高功率應(yīng)用設(shè)計。該器件采用了先進的封裝工藝，確保了卓越的熱性能和電氣性能。其低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度使其非常適合于電源管理、射頻放大器以及新能源汽車等領(lǐng)域。
該型號中的參數(shù)定義如下：MT代表制造商系列，15表示最大漏源電壓（Vds）為150V，N代表N溝道，7R0表示導(dǎo)通電阻為7mΩ，C表示采用芯片級封裝，500表示額定電流為500A，CT是溫度等級標(biāo)識。
最大漏源電壓（Vds）：150V
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：7mΩ
額定電流（Id）：500A
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：2.5V
最大柵源電壓（Vgs）：±20V
工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：CT（芯片級封裝）
MT15N7R0C500CT 具有以下顯著特性：
1. 高開關(guān)頻率：得益于氮化鎵材料的特性，該器件能夠在高達數(shù)MHz的頻率下穩(wěn)定運行。
2. 超低導(dǎo)通電阻：僅為7mΩ，有效降低了傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能：開關(guān)時間極短，可顯著減少開關(guān)損耗。
4. 高可靠性：經(jīng)過嚴格測試，確保在惡劣環(huán)境下也能保持穩(wěn)定性能。
5. 小型化封裝：芯片級封裝（CSP）技術(shù)的應(yīng)用使得該器件具有更小的尺寸和更高的功率密度。
6. 寬工作溫度范圍：支持從-55℃到+175℃的工作環(huán)境，適用于極端條件下的應(yīng)用。
這款氮化鎵功率晶體管廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器：由于其高開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻，非常適合用于各種高效電源模塊。
2. 射頻功率放大器：能夠滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)對高頻和高功率的需求。
3. 新能源汽車：在車載充電器、逆變器等部件中發(fā)揮重要作用。
4. 工業(yè)驅(qū)動器：用于伺服電機驅(qū)動和其他工業(yè)自動化設(shè)備。
5. 數(shù)據(jù)中心電源：提供高效的電源解決方案以降低能耗。
6. 太陽能逆變器：提升太陽能發(fā)電系統(tǒng)的效率和可靠性。
MT15N7R0C300CT, MT15N7R0C600CT
