類型：DDR3L SDRAM
　　容量：1Gb (128M x 8)
　　數(shù)據(jù)速率：800Mbps, 1066Mbps, 1333Mbps, 1600Mbps
　　Vdd/Vddq：1.35V
　　封裝：FBGA 78-ball
　　工作溫度：-40°C 至 +85°C
　　I/O 標(biāo)準(zhǔn)：SSTL-135
　　引腳間距：1.0mm

MT18N1R8C500CT 芯片采用了低功耗 DDR3L 技術(shù)，能夠顯著降低能耗，同時(shí)提供高速的數(shù)據(jù)傳輸能力。
　　其關(guān)鍵特性包括：
　　- 支持高達(dá) 1600Mbps 的數(shù)據(jù)速率，滿足高性能應(yīng)用需求。
　　- 1.35V 的低電壓設(shè)計(jì)有助于減少功耗。
　　- FBGA 封裝形式使其適合小型化設(shè)計(jì)，便于集成到緊湊型設(shè)備中。
　　- 廣泛的工作溫度范圍確保其在各種環(huán)境下的穩(wěn)定性。
　　- 具備 ECC（糾錯(cuò)碼）功能選項(xiàng)，提高數(shù)據(jù)的完整性與可靠性。
　　- 符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)，易于與其他兼容硬件協(xié)同工作。

MT18N1R8C500CT 主要應(yīng)用于對(duì)功耗敏感的場(chǎng)景，例如：
　　- 智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備。
　　- 嵌入式系統(tǒng)，如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備。
　　- 可穿戴設(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品。
　　- 數(shù)字電視、機(jī)頂盒以及其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品。
　　由于其低功耗特性和高性能表現(xiàn)，該芯片特別適合需要長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行且對(duì)電池壽命要求較高的應(yīng)用場(chǎng)合。

MT18N1R8C500D, MT18N1R8C500DT, MT18N1R8C500FT