MT15N6R8D500CT是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該型號由Microchip Technology公司生產(chǎn),專為高效率和低功耗的�(yīng)用場景設(shè)�。它廣泛�(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)�、負(fù)載開�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(lǐng)域�
這款器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能。其堅固的設(shè)計使其能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下�(wěn)定運行�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�50A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型值,@Vgs=10V)
柵極電荷(Qg)�90nC
總功�(Ptot)�310W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
MT15N6R8D500CT具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))可有效減少傳導(dǎo)損耗,提升整體能效�
2. 高速開�(guān)能力使得該器件非常適合高頻應(yīng)用場��
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)計減少了�(qū)動損�,�(jìn)一步提高了系統(tǒng)的效��
4. 大電流處理能力確保其能夠在大功率�(yīng)用場景中表現(xiàn)�(yōu)��
5. 良好的熱�(wěn)定性允許其在極端溫度范圍內(nèi)可靠工作�
6. 提供過熱保護(hù)和短路耐受能力,增強了器件的安全性和耐用��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需��
該MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用,包括但不限于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),如AC/DC適配器和充電器�
2. 電機控制和驅(qū)�,例如無刷直流電機控制器�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率級控制�
4. 通信電源系統(tǒng)中的�(fù)載切��
5. 新能源應(yīng)�,如太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
6. 汽車電子中的各類功率�(zhuǎn)換模塊�
MT15N6R8D300CT, IRF540N, FQP50N06L