時間：2025/5/30 14:40:29
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MT15N0R5C500CT 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，專為高頻、高效率和高功率密度應(yīng)用而設(shè)計。該器件采用了先進的封裝工藝，能夠?qū)崿F(xiàn)卓越的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性。其適用于電源管理、射頻放大器及高速開關(guān)電路等領(lǐng)域。
這款 GaN 器件在材料特性和結(jié)構(gòu)設(shè)計上具有顯著優(yōu)勢，能夠在高頻條件下提供更高效的能量轉(zhuǎn)換，并減少傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的局限性。
型號：MT15N0R5C500CT
類型：GaN HEMT
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：20A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極-源極電壓：±8V
功耗：300W
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
MT15N0R5C500CT 具備出色的開關(guān)速度和低開關(guān)損耗特性，同時保持了較低的導(dǎo)通電阻，從而提高了整體系統(tǒng)效率。
1. 高效開關(guān)性能：得益于氮化鎵技術(shù)，該器件能夠在高頻下運行并顯著降低開關(guān)損耗。
2. 緊湊型設(shè)計：采用優(yōu)化的封裝形式，適合空間受限的應(yīng)用場景。
3. 耐高溫能力：支持高達 175°C 的結(jié)溫操作，滿足嚴苛環(huán)境下的使用需求。
4. 快速恢復(fù)時間：極短的開關(guān)延遲時間使得 MT15N0R5C500CT 成為高頻應(yīng)用的理想選擇。
這些特點使其成為現(xiàn)代電力電子設(shè)備中不可或缺的核心元件之一。
MT15N0R5C500CT 廣泛應(yīng)用于需要高效能和快速響應(yīng)的領(lǐng)域，例如：
1. 數(shù)據(jù)中心電源供應(yīng)單元 (PSU) 和服務(wù)器電源適配器。
2. 新能源汽車中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器。
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
4. 工業(yè)級電機驅(qū)動器和自動化控制系統(tǒng)。
5. 射頻功率放大器以及通信基站中的高頻信號處理模塊。
憑借其優(yōu)異的性能表現(xiàn)，此款 GaN 晶體管為眾多高科技行業(yè)提供了可靠的解決方案。
MT15N0R5C400CT, MT15N0R5C600CT
