HY62WT081ED70C 是一款由華邦電子(Winbond)生�(chǎn)的靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM)。該芯片采用CMOS工藝制�,具有低功耗和高穩(wěn)定性的特點(diǎn)。其主要用途是作為�(shù)�(jù)緩沖、臨�(shí)存儲(chǔ)或高速緩存的解決方案�
HY62WT081ED70C 的容量為512K x 16�,總存儲(chǔ)容量�8Mbit。它采用了標(biāo)�(zhǔn)的同步接口設(shè)�(jì),適合用于嵌入式系統(tǒng)、工�(yè)控制、通信�(shè)備以及其他需要高性能存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)��
存儲(chǔ)容量�8Mbit
組織方式�512K x 16�
工作電壓�2.5V ~ 3.6V
�(fǎng)�(wèn)�(shí)間:10ns
封裝�(lèi)型:TSSOP-40
工作溫度范圍�-40°C ~ +85°C
I/O電壓�1.65V ~ 3.6V
HY62WT081ED70C 提供了快速的�(shù)�(jù)�(fǎng)�(wèn)速度和穩(wěn)定的性能表現(xiàn)�
1. 具有較低的工作電壓范�,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代低功耗應(yīng)用需求�
2. 支持高速讀�(xiě)操作,訪(fǎng)�(wèn)�(shí)間短�10ns,適用于�(duì)�(shí)延敏感的�(chǎng)��
3. 采用TSSOP-40封裝形式,節(jié)省空間并提高散熱性能�
4. 可靠性高,在寬溫度范圍內(nèi)保持正常�(yùn)行,適應(yīng)多種�(huán)境條��
5. �(shù)�(jù)保持�(shí)間長(zhǎng),在斷電后仍可長(zhǎng)�(shí)間保存數(shù)�(jù)狀�(tài)�
6. 靜態(tài)功耗低,待�(jī)模式下幾乎不消耗電��
HY62WT081ED70C 廣泛�(yīng)用于需要快速數(shù)�(jù)處理和大容量存儲(chǔ)的領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩沖和實(shí)�(shí)存儲(chǔ)�
2. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)�,例如路由器、交換機(jī)中的高速緩��
3. 嵌入式系�(tǒng)中作為程序運(yùn)行時(shí)的臨�(shí)存儲(chǔ)�
4. �(yī)療儀器中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)記錄與分��
5. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的圖像處理和音頻/視頻解碼緩存�
6. 游戲�(shè)備中的幀緩沖區(qū)和用�(hù)交互�(shù)�(jù)存儲(chǔ)�
HY62WV081ED70C
IS61WV51216BLL-10TI
CY7C1049V33-10JC