MSB30M是一款高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定�,適用于中高壓場景下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
MSB30M屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-220封裝形式,便于散熱和安裝。其出色的電氣性能使其成為許多大功率電路設(shè)計中的理想選��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�14A
柵源電壓范圍�-15V ~ +20V
�(dǎo)通電阻:2.6Ω
總功耗:160W
�(jié)溫范圍:-55� ~ +150�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有效減少傳導(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. �(nèi)置雪崩擊穿保�(hù)功能,能夠承受一定能量的過載脈沖�
4. 良好的溫度穩(wěn)定�,在寬溫范圍�(nèi)保持�(yōu)異的性能�
5. 封裝�(jié)�(gòu)堅固,適合自動化焊接和表面貼裝工��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)計�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 直流電機(jī)�(qū)�
3. 逆變器與變頻�
4. 不間斷電源(UPS�
5. LED照明�(qū)動電�
6. 工業(yè)控制�(shè)�
7. 太陽能逆變系統(tǒng)
IRF840, STP30NF10, K1208