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PIM252010-4R7MTS00 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 13:33:50 查看 閱讀�21

PIM252010-4R7MTS00 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的功率集成模�,由 Texas Instruments(德州儀器)�(shè)�(jì)制造。該模塊集成了高頻驅(qū)�(dòng)器和增強(qiáng)� GaN 場效�(yīng)晶體管(eGaN FET),適用于高效率、高密度電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。它采用了多芯片封裝技�(shù),支持高�(dá) 10A 的連續(xù)電流輸出,并且具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,可顯著提高系統(tǒng)效率�
  其典型應(yīng)用場景包� DC/DC �(zhuǎn)換器、通信電源、工�(yè)電源以及電動(dòng)交通工具中的高效功率轉(zhuǎn)�。通過減少外部元件�(shù)量并簡化 PCB 布局,該模塊能夠幫助工程師縮短設(shè)�(jì)周期并降低整體成��

參數(shù)

型號(hào):PIM252010-4R7MTS00
  類型:GaN 功率集成模塊
  額定電壓�100V
  額定電流�10A
  Rds(on)�4.7mΩ(最大值)
  開關(guān)頻率范圍:高�(dá) 2MHz
  封裝形式:QFN 8x8mm
  工作溫度范圍�-40°C � +125°C
  輸入電容:~3nF
  柵極電荷:~10nC

特�

PIM252010-4R7MTS00 擁有以下顯著特性:
  1. 高效� GaN 技�(shù):利用增�(qiáng)型氮化鎵晶體管實(shí)�(xiàn)超低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,從而提升系�(tǒng)效率�
  2. 集成�(shè)�(jì):將�(qū)�(dòng)器與 GaN FET 封裝在單�(gè)模塊�,減少了外圍電路�(fù)雜度�
  3. 支持高頻操作:最高可�(dá) 2MHz 的開�(guān)頻率允許使用更小的磁性元件和電容�,�(jìn)一步減小解決方案尺��
  4. 熱管理優(yōu)化:采用 QFN 封裝,提供出色的散熱性能以滿足高功率�(yīng)用需求�
  5. �(qiáng)大的保護(hù)功能:內(nèi)置過溫關(guān)斷保�(hù)和短路耐受能力,確保可靠運(yùn)��
  6. 寬泛的工作溫度范圍:� -40°C � +125°C 的操作區(qū)間使其適合各種環(huán)境條��

�(yīng)�

PIM252010-4R7MTS00 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. DC/DC �(zhuǎn)換器:用于服�(wù)器、通信�(shè)備及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的高效電源模塊�
  2. 工業(yè)電源:為工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備提供緊湊且高效的供電方案�
  3. 電動(dòng)交通工具:助力電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)和電�(jī)控制��
  4. 快速充電器:實(shí)�(xiàn)更高功率密度� USB-PD 充電器設(shè)�(jì)�
  5. LED �(qū)�(dòng)器:用于高亮� LED 照明系統(tǒng)的高效驅(qū)�(dòng)電路�
  6. 可再生能源:在太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中提供高效功率轉(zhuǎn)換�

替代型號(hào)

LMG3411R070
  PIM252010-4R7EVM
  GaN Systems GS61008T

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