MSAST168BB5106MTNA01 是一款由 Microsemi(現(xiàn)� Microchip Technology)制造的高性能、低功耗靜�(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SRAM�。該器件采用先�(jìn)� CMOS 工藝技�(shù),具有高可靠性和快速訪問時(shí)�,適用于需要高速數(shù)�(jù)處理和臨�(shí)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�。它通常用于通信�(shè)備、工�(yè)控制系統(tǒng)、醫(yī)療儀器以及航空航天領(lǐng)域中的關(guān)鍵數(shù)�(jù)緩沖和處��
該型�(hào)� SRAM 提供了大容量存儲(chǔ)空間,并且支持多種工作模�,包括標(biāo)�(zhǔn)讀寫操�、字節(jié)寫入等功�。此�,其封裝�(shè)�(jì)緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使用�
存儲(chǔ)容量�2Mb (262,144 x 8)
�(shù)�(jù)寬度�8�
訪問�(shí)間:10ns
電源電壓�3.3V ± 0.3V
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
I/O 電平:LVTTL>封裝類型:TQFP-100
引腳間距�0.5mm
MSAST168BB5106MTNA01 具有以下主要特性:
1. 高速運(yùn)行能力:提供 10 納秒的典型訪問時(shí)�,確保系�(tǒng)能夠快速完成數(shù)�(jù)讀寫任�(wù)�
2. 寬溫度范圍支持:能夠� -40°C � +125°C 的極端環(huán)境下�(wěn)定工作,非常適合惡劣條件下的�(yīng)��
3. 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化的 CMOS 技�(shù)降低待機(jī)和活�(dòng)狀�(tài)下的功�,延�(zhǎng)電池壽命或減少散熱需��
4. �(qiáng)大的可靠性:�(jīng)過嚴(yán)格的�(cè)試和篩選流程,滿足軍工級(jí)和航天級(jí)�(yīng)用要��
5. 多種工作模式:支持標(biāo)�(zhǔn)讀�、字節(jié)寫入等操�,提高了靈活性和兼容性�
6. 小型封裝:TQFP-100 封裝節(jié)省了 PCB 布局空間,同�(shí)提供了良好的電氣性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于�(duì)性能和可靠性要�. �(shù)�(jù)通信�(shè)備中的緩存和臨時(shí)存儲(chǔ)單元�
2. �(yī)療成像設(shè)備中的圖像數(shù)�(jù)處理和存�(chǔ)�
3. 航空航天�(lǐng)域的�(dǎo)航與控制模塊�
4. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)采集與處��
5. �(cè)試測(cè)�?jī)x器中的高速數(shù)�(jù)緩沖區(qū)�
由于其出色的性能和穩(wěn)定�,這款 SRAM 成為了許多高端應(yīng)用的理想選擇�
MSAST168BBA106MTNA01
MSAST168BB5106MTNA02
IS61WV10248BLL-10T