GA1206Y122JXABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,從而顯著降低了功耗并提升了系�(tǒng)性能�
該型號屬于溝道增強型 MOSFET 系列,通過�(yōu)化柵極電荷和輸出電容參數(shù),確保在高頻工作條件下的高效表現(xiàn)。同�,其封裝�(shè)計考慮了良好的散熱性能,適合各種對功率密度要求較高的應(yīng)用場��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�150nC
總電容:2800pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
GA1206Y122JXABR31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.2mΩ�,顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)用�
3. 高電流處理能力(連續(xù)漏極電流可達120A�,適用于大功率場��
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃至175℃),適�(yīng)極端�(huán)境條件�
5. �(yōu)異的熱性能�(shè)�,保證長期穩(wěn)定運��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
這款功率 MOSFET 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�,提供高效能量轉(zhuǎn)��
2. 電動車輛(EV/HEV)中的電機驅(qū)動控��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切換�
4. 高功� LED �(qū)動電��
5. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于通信基站和服�(wù)器電��
6. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
GA1206Y122JXABR32G
IRF1404
FDP16N60C
STP120NF6L