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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MRF6S21050LSR3

MRF6S21050LSR3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 13:51:02 查看 閱讀�23

MRF6S21050LSR3 是一款由 NXP Semiconductors 生產(chǎn)的射頻功率晶體管,專(zhuān)為高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。該晶體管適用于�(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的射頻功率放大器,包括蜂窩基�、無(wú)線電通信和雷�(dá)系統(tǒng)等。其采用 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)技�(shù)制�,提供高效率、高增益和高線性度的性能。這種晶體管通常以表面貼裝封裝形式提�,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

最大功率:50W
  頻率范圍�1.8GHz � 2.2GHz
  增益�14dB
  效率�60%
  工作電壓�28V
  封裝�(lèi)型:LFPAK56E
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C

特�

MRF6S21050LSR3 提供卓越的射頻性能,適合需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)��
  它具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 高效率:在典型負(fù)載條件下,晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)超過(guò) 60% 的效�,從而降低功耗和散熱需求�
  2. 高增益:該器件擁有高�(dá) 14dB 的增�,減少了�(duì)外部�(qū)�(dòng)�(jí)的需�,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
  3. 寬帶操作能力:支持從 1.8GHz � 2.2GHz 的頻率范�,適用于多種�(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)�
  4. 熱穩(wěn)定性:晶體管采用先�(jìn)的封裝技�(shù),確保在高功率運(yùn)行時(shí)保持良好的熱管理�
  5. 表面貼裝兼容性:LFPAK56E 封裝使其易于集成到現(xiàn)代化的表面貼裝生�(chǎn)工藝��
  6. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試,確保�(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性和耐用��

�(yīng)�

MRF6S21050LSR3 廣泛�(yīng)用于各種射頻功率放大的場(chǎng)�,尤其是在無(wú)線通信�(lǐng)��
  主要�(yīng)用包括:
  1. 蜂窩基站:用� 2G�3G � 4G 基站的射頻功率放大器�
  2. 固定�(wú)線接入設(shè)備:如點(diǎn)�(duì)�(diǎn)或點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)微波鏈路�
  3. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段�(shè)備:如無(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)� RFID 系統(tǒng)�
  4. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:用于信號(hào)�(fā)生器或頻譜分析儀等儀器�
  5. 軍事和航空航天應(yīng)用:如雷�(dá)系統(tǒng)或衛(wèi)星通信終端�

替代型號(hào)

MRF6V21050N, BLF2G13

mrf6s21050lsr3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
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mrf6s21050lsr3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝250
  • �(lèi)�分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭RF FET
  • 系列-
  • 晶體管類(lèi)�LDMOS
  • 頻率2.16GHz
  • 增益16dB
  • 電壓 - �(cè)�28V
  • 額定電流10µA
  • 噪音�(shù)�(jù)-
  • 電流 - �(cè)�450mA
  • 功率 - 輸出11.5W
  • 電壓 - 額定68V
  • 封裝/外殼NI-400S
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�NI-400S
  • 包裝帶卷 (TR)