MRF6S21050LSR3 是一款由 NXP Semiconductors 生產(chǎn)的射頻功率晶體管,專(zhuān)為高頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。該晶體管適用于�(wú)線通信基礎(chǔ)�(shè)施中的射頻功率放大器,包括蜂窩基�、無(wú)線電通信和雷�(dá)系統(tǒng)等。其采用 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)技�(shù)制�,提供高效率、高增益和高線性度的性能。這種晶體管通常以表面貼裝封裝形式提�,具有出色的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大功率:50W
頻率范圍�1.8GHz � 2.2GHz
增益�14dB
效率�60%
工作電壓�28V
封裝�(lèi)型:LFPAK56E
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
MRF6S21050LSR3 提供卓越的射頻性能,適合需要高功率輸出的應(yīng)用場(chǎng)��
它具備以下關(guān)鍵特性:
1. 高效率:在典型負(fù)載條件下,晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)超過(guò) 60% 的效�,從而降低功耗和散熱需求�
2. 高增益:該器件擁有高�(dá) 14dB 的增�,減少了�(duì)外部�(qū)�(dòng)�(jí)的需�,簡(jiǎn)化了電路�(shè)�(jì)�
3. 寬帶操作能力:支持從 1.8GHz � 2.2GHz 的頻率范�,適用于多種�(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)�
4. 熱穩(wěn)定性:晶體管采用先�(jìn)的封裝技�(shù),確保在高功率運(yùn)行時(shí)保持良好的熱管理�
5. 表面貼裝兼容性:LFPAK56E 封裝使其易于集成到現(xiàn)代化的表面貼裝生�(chǎn)工藝��
6. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格測(cè)試,確保�(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定性和耐用��
MRF6S21050LSR3 廣泛�(yīng)用于各種射頻功率放大的場(chǎng)�,尤其是在無(wú)線通信�(lǐng)��
主要�(yīng)用包括:
1. 蜂窩基站:用� 2G�3G � 4G 基站的射頻功率放大器�
2. 固定�(wú)線接入設(shè)備:如點(diǎn)�(duì)�(diǎn)或點(diǎn)�(duì)多點(diǎn)微波鏈路�
3. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段�(shè)備:如無(wú)線傳感器�(wǎng)�(luò)� RFID 系統(tǒng)�
4. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備:用于信號(hào)�(fā)生器或頻譜分析儀等儀器�
5. 軍事和航空航天應(yīng)用:如雷�(dá)系統(tǒng)或衛(wèi)星通信終端�
MRF6V21050N, BLF2G13