MEM4N60THG是一款高壓MOSFET(金�-氧化�-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),采用TO-247封裝形式。該器件主要用于高電壓和高效率應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。它具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的�(kāi)�(guān)速度,能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型器件,其漏源極額定電壓�600V,能夠承受較高的電壓波動(dòng),適用于工業(yè)及汽�(chē)電子等對(duì)可靠性要求較高的�(chǎng)��
漏源極電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:0.38Ω
柵極電荷�45nC
總電容:1500pF
最大功耗:175W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 高額定電壓(600V�,適合高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 較低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))僅�0.38Ω,可降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)性能,柵極電荷較?�?5nC�,有助于減少�(kāi)�(guān)損��
4. 采用�(jiān)固耐用的TO-247封裝,具備良好的散熱性能�
5. 支持寬溫度范圍(-55℃至+150℃),適用于惡劣�(huán)境條件下的應(yīng)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì)中的功率�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
3. 逆變器電路中的功率級(jí)控制�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
5. 各類(lèi)工業(yè)�(shè)備和汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高壓功率管理模塊�
6. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的充放電控制開(kāi)�(guān)�
IRFP460, STP10NK60Z, FQA12N60C