IS61LV25616AL-10TL 是一款高�、低功耗的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM�,由 ISSI(Integrated Silicon Solution, Inc.)公司生�(chǎn)。該芯片具有 256K x 16 的存儲容量,�?cè)萘繛?4Mbit。它采用先�(jìn)� CMOS 工藝制�,適合需要高性能和低功耗的�(yīng)用場景。該器件支持 3.3V 電源電壓,并提供快速的訪問�(shí)間和�(wěn)定的性能�
IS61LV25616AL-10TL 的封裝形式為 TQFP(薄型四方扁平封裝),引腳數(shù)� 44,適用于各種嵌入式系�(tǒng)、工�(yè)控制�(shè)備以及通信�(shè)備中�
工作電壓�3.3V ± 0.3V
存儲容量�256K x 16 (4Mbit)
訪問�(shí)間:10ns
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限
�(shù)�(jù)保留�(shí)間:無限
工作溫度范圍�-40°C � +85°C
封裝形式:TQFP-44
I/O 電壓�3.3V
靜態(tài)電流�20mA(典型值)
動態(tài)電流�100mA(典型值)
IS61LV25616AL-10TL 提供卓越的性能和可靠�,主要特性如下:
1. 高速操作:10ns 的訪問時(shí)間確保了快速的�(shù)�(jù)傳輸和處理能��
2. 低功耗設(shè)�(jì):在保證高性能的同�(shí),芯片功耗較�,適合對功耗敏感的�(yīng)��
3. 寬溫度范圍:支持 -40°C � +85°C 的工�(yè)級溫度范�,適用于惡劣�(huán)境�
4. 簡化的接口設(shè)�(jì):兼容標(biāo)�(zhǔn) SRAM 接口�(xié)�,便于集成到�(xiàn)有系�(tǒng)��
5. 非易失性:掉電后數(shù)�(jù)不會丟失,適用于需要可靠存儲的�(yīng)用場��
6. 高密度存儲:256K x 16 的存儲容量滿足大部分嵌入式系�(tǒng)的存儲需��
7. �(qiáng)大的抗噪能力:內(nèi)部設(shè)�(jì)增強(qiáng)了對噪聲的抵抗能�,提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性�
IS61LV25616AL-10TL 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 嵌入式系�(tǒng):作為主處理器的外部存儲�(kuò)展,用于存儲程序代碼或臨�(shí)�(shù)�(jù)�
2. 工業(yè)自動化:在工�(yè)控制器、PLC 和其他實(shí)�(shí)控制系統(tǒng)中使�,提供快速和可靠的存儲解決方案�
3. 通信�(shè)備:適用于路由器、交換機(jī)和其他網(wǎng)�(luò)�(shè)備中的緩存存儲�
4. �(yī)療設(shè)備:如超聲波�(shè)�、監(jiān)�(hù)儀等需要高精度和快速響�(yīng)的醫(yī)療儀��
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:用于�(shù)碼相�(jī)、打印機(jī)等需要大容量緩存的應(yīng)��
6. 汽車電子:支持汽車信息娛樂系�(tǒng)和導(dǎo)航設(shè)備中的數(shù)�(jù)存儲與處理�
IS61LV25616ALL-10TLC
IS61LV25616BL-10TLC
IS61WV25616BLL-10TLC