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時(shí)間：2025/5/30 17:13:10
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ME6213C30M5G 是一款高性能的 N 沃特金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（NMOS），屬于功率 MOSFET 類型。該器件適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。其采用 TOLL 封裝形式，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能。
該芯片主要由 ON Semiconductor（現(xiàn)為安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)，專為需要高效能和低損耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。
型號(hào)：ME6213C30M5G
VDS（漏源電壓）：30V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ（典型值，VGS=10V）
ID（連續(xù)漏極電流）：179A
Qg（總柵極電荷）：90nC
Ciss（輸入電容）：4840pF
fT（過渡頻率）：3.1MHz
封裝形式：TOLL
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
ME6213C30M5G 具有以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)），可以顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升效率。
2. 高額定電流能力（179A），使其非常適合大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)性能，能夠支持高頻操作，減少磁性元件體積。
4. 出色的熱穩(wěn)定性，允許在高達(dá) +175℃ 的環(huán)境下工作，增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性。
5. TOLL 封裝提供優(yōu)異的散熱性能和更低的寄生電感，適合高密度 PCB 設(shè)計(jì)。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代工業(yè)要求。
該 MOSFET 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器，包括降壓、升壓及升降壓拓?fù)洹?br> 3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，用于控制直流無刷電機(jī)（BLDC）或其他類型電機(jī)。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 電動(dòng)汽車（EV）和混合動(dòng)力汽車（HEV）中的電池管理系統(tǒng)（BMS）。
ME6213C30M7G, IRFB3077PbF, FDP16N30AE
