IRF9Z34NS 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),� Vishay 公司生產(chǎn)。它專為高頻開關(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器等�(lǐng)��
該器件采� TO-263-3 封裝形式,具備出色的散熱性能和可靠�,適合高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
最大漏源電壓:500V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�10A
脈沖漏極電流�35A
�(dǎo)通電阻:0.8Ω
總柵極電荷:22nC
輸入電容�700pF
輸出電容�240pF
反向傳輸電容�100pF
功耗:230W
IRF9Z34NS 的主要特�(diǎn)是其高耐壓能力與較低的�(dǎo)通電阻,使得� MOSFET 在高壓開�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件的快速開�(guān)特性有助于減少開關(guān)損�,并提高整體系統(tǒng)效率�
具體特性如下:
- 高擊穿電壓:能夠承受高達(dá) 500V 的漏源電壓,適用于高壓環(huán)��
- 低導(dǎo)通電阻:在高電流條件下降低功�,提升效��
- 快速開�(guān)速度:減少開�(guān)過程中的能量損耗,適合高頻工作條件�
- 熱穩(wěn)定性強(qiáng):能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)保持性能�(wěn)��
- 小封裝大功率:TO-263-3 封裝提供良好的散熱性能,同�(shí)節(jié)省電路板空間�
- 可靠性高:通過了多種質(zhì)量認(rèn)證測(cè)�,確保長(zhǎng)期使用中的可靠��
IRF9Z34NS 廣泛用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS):作為主開�(guān)元件,在 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器中實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)��
- 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流無刷電�(jī)或步�(jìn)電機(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
- 逆變器:在太�(yáng)能逆變器或其他類型的逆變器中�(shí)�(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)��
- 電池管理系統(tǒng)(BMS):用于電池充放電保�(hù)電路,防止過流、短路等情況�(fā)��
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如可編程邏輯控制器(PLC�、伺服驅(qū)�(dòng)器等需要高效功率管理的�(chǎng)��
- 汽車電子:在車載充電�、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向系�(tǒng)(EPS)等汽車相關(guān)�(yīng)用中�(fā)揮重要作用�
IRFZ34N, IRFZ34PBF, STP10NK50Z