ME2100A50M3G是一款高性能的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),適用于各種開�(guān)和功率管理應(yīng)�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛用于消費電子、工�(yè)�(shè)備和汽車電子�(lǐng)��
該型號屬于N溝道增強型MOSFET,主要針對中高功率應(yīng)用場景設(shè)�,能夠提供高效的電力傳輸和較低的能量損��
最大漏源電壓:50V
連續(xù)漏極電流�36A
�(dǎo)通電阻:3.9mΩ
柵極電荷�87nC
總電容:1480pF
功耗:180W
工作溫度范圍�-55℃至150�
ME2100A50M3G具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻電路設(shè)��
3. 強大的散熱性能,能夠在較高�(jié)溫下�(wěn)定運��
4. 良好的靜電防護能力,確保在嚴苛環(huán)境中的可靠��
5. 小型化封�,便于在緊湊空間�(nèi)布局布線�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款MOSFET適用于多種場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件�
2. 直流電機�(qū)動及控制電路�
3. 電池保護與管理系�(tǒng)�
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
5. 汽車電子系統(tǒng)的電源管理模��
6. LED照明�(qū)動電��
ME2100A50M2G, IRF540N, FDP55N50E