K9K8G08U0D-SIB0 是三星(Samsung)生�(chǎn)的一款NAND Flash存儲芯片,采用MLC(Multi-Level Cell)技�(shù)。該芯片具有高容量、高速度和低功耗的特點,適用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲的應(yīng)用場�。其封裝形式為BGA(球柵陣列封裝),能夠提供出色的電氣性能和可靠性�
這款芯片廣泛�(yīng)用于消費類電子產(chǎn)品、嵌入式系統(tǒng)、固�(tài)硬盤(SSD)等�(lǐng)�,滿足現(xiàn)代設(shè)備對高效�(shù)�(jù)存儲的需��
存儲容量�8GB
存儲類型:NAND Flash
接口類型:Toggle Mode 2.0
工作電壓�1.8V
封裝形式:BGA
引腳�(shù)�169
�(shù)�(jù)傳輸速率:最�400MB/s
擦寫壽命�3000次(典型值)
工作溫度范圍�-25°C�85°C
K9K8G08U0D-SIB0 使用了先進的MLC NAND Flash技�(shù),每個存儲單元可以存�2位數(shù)�(jù),從而實�(xiàn)更高的存儲密�。它支持Toggle Mode 2.0接口,提供更快的�(shù)�(jù)傳輸速度,適合高性能存儲�(yīng)��
該芯片具備較低的工作電壓,有助于減少功�,延長設(shè)備的電池�(xù)航時間。同�,它還具有較強的可靠性和耐用�,能夠在較寬的工作溫度范圍內(nèi)�(wěn)定運��
此外,BGA封裝形式使得芯片在信號完整�、熱管理和安裝密度方面表�(xiàn)出色,非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備的小型化和高性能需求�
K9K8G08U0D-SIB0 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 固態(tài)硬盤(SSD):
作為主要存儲介質(zhì),提供大容量和快速的�(shù)�(jù)存取能力�
2. 嵌入式系�(tǒng)�
用于工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等需要可靠數(shù)�(jù)存儲的場合�
3. 消費類電子產(chǎn)品:
如智能手�、平板電腦、數(shù)碼相機等,滿足多媒體文件存儲需��
4. �(wǎng)�(luò)通信�(shè)備:
如路由器、交換機�,提供固件和�(shù)�(jù)存儲功能�
K9KCG08U1E-SCK0
K9K8G08U1M-SCK0
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