MC12013L是一種高性能的NPN型硅雙極晶體�,廣泛應用于高頻放大和開關電路中。它具有高增�、低噪聲和良好的頻率響應特�,適用于各種射頻(RF)應用和音頻信號處理。該器件采用TO-92封裝形式,體積小�,便于安裝在緊湊型電路板��
MC12013L的主要設計目的是提供�(wěn)定的電流增益和高頻性能,其截止頻率高達3GHz,因此非常適合用于無線通信設備、調諧器和其他高頻電子系統中的信號放大與調節(jié)�
集電�-�(fā)射極電壓(VCEO):30V
集電極電流(IC):150mA
直流電流增益(hFE):最小�80
功率耗散(Ptot):350mW
工作溫度范圍�-55� � +150�
過渡頻率(ft):3000MHz
MC12013L具備以下顯著特性:
1. 高頻性能�(yōu)�,過渡頻率達�3GHz,適合高頻和射頻應用�
2. 具有較高的直流電流增�,能夠提供穩(wěn)定的放大功能�
3. 小信號增益表現優(yōu)�,適用于低噪聲要求的場景�
4. 工作溫度范圍寬廣,能夠在極端�(huán)境下保持�(wěn)定運��
5. TO-92封裝使其占用空間小,易于集成到小型化設計��
6. 電氣性能可靠,可長期在高頻環(huán)境中使用而不會出現明顯的性能下降�
MC12013L主要應用于以下領域:
1. 高頻放大器和射頻模塊,例如無線通信設備中的前置放大��
2. 調制解調器、收音機以及其他需要低噪聲放大的音頻設備�
3. 數據傳輸系統中的信號增強組件�
4. 高速開關電�,用于邏輯電平轉換或脈沖整形�
5. �(wěn)壓電路中的誤差放大器部分�
6. 測試測量儀器中的信號調理單��
MPSH10
2SC5687