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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > MB85RC04VPNF-G-JNERE1

MB85RC04VPNF-G-JNERE1 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 18:58:39 查看 閱讀�14

MB85RC04V是一款由富士通(Fujitsu)生�(chǎn)的鐵電隨�(jī)存取存儲(chǔ)器(FRAM�,具有非易失性和低功耗的特點(diǎn)。它采用SPI接口,支持快速數(shù)�(jù)�(xiě)入和讀�,并且無(wú)需�(xiě)入延遲。該芯片廣泛�(yīng)用于需要頻繁數(shù)�(jù)記錄和高可靠性的�(chǎng)�,例如工�(yè)控制、醫(yī)療設(shè)�、計(jì)�?jī)x器和物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備�
  MB85RC04V系列提供了多種封裝選�(xiàng)和容量選�,PNF-G-JNERE1是其特定版本�(hào),適用于�(duì)工作溫度范圍和性能有特殊要求的�(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

容量�4Kbit
  接口:SPI
  工作電壓�1.8V�3.6V
  工作溫度范圍�-40°C�+85°C
  封裝�(lèi)型:SOP-8
  �(shù)�(jù)保存�(shí)間:超過(guò)10�
  擦寫(xiě)次數(shù):高�(dá)10^12�

特�

MB85RC04V的主要特性包括:
  1. 非易失性存�(chǔ):即使在斷電情況�,數(shù)�(jù)也能保持完整�
  2. 低功耗運(yùn)行:相比EEPROM和閃�,F(xiàn)RAM的寫(xiě)入操作能耗更��
  3. 快速寫(xiě)入:�(wú)需等待�(xiě)入完成即可�(jìn)行下一次操��
  4. 耐用性強(qiáng):支持極高的擦寫(xiě)次數(shù),適合頻繁數(shù)�(jù)更新的應(yīng)��
  5. �(jiǎn)化的系統(tǒng)�(shè)�(jì):減少了�(duì)外部組件的需�,例如電容或充電電路�
  6. 高可靠性:能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持�(wěn)定性能�

�(yīng)�

MB85RC04V被廣泛用于以下領(lǐng)域:
  1. 工業(yè)自動(dòng)化:�(shí)�(shí)�(shù)�(jù)記錄和配置存�(chǔ)�
  2. �(yī)療設(shè)備:患者數(shù)�(jù)和設(shè)備狀�(tài)的非易失性存�(chǔ)�
  3. �(jì)�?jī)x表:如智能電表中的數(shù)�(jù)日志和校�(zhǔn)參數(shù)保存�
  4. 物聯(lián)�(wǎng)(IoT):傳感器數(shù)�(jù)緩存和節(jié)�(diǎn)配置存儲(chǔ)�
  5. 消費(fèi)電子:便攜式�(shè)備的�(shù)�(jù)備份和恢�(fù)功能�

替代型號(hào)

MB85RC04V-PNF-G, MB85RC04V-TSSOP, MB85RC04V-SOIC

mb85rc04vpnf-g-jnere1推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • �(chǎng)�
  • 封裝/批號(hào)
  • �(xún)�(jià)

mb85rc04vpnf-g-jnere1參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�1,500 : �6.15725卷帶(TR�
  • 系列-
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 存儲(chǔ)器類(lèi)�非易�
  • 存儲(chǔ)器格�FRAM
  • 技�(shù)FRAM(鐵電體 RAM�
  • 存儲(chǔ)容量4Kb
  • 存儲(chǔ)器組�512 x 8
  • 存儲(chǔ)器接�I2C
  • �(shí)鐘頻�1 MHz
  • �(xiě)周期�(shí)� - 字,�(yè)-
  • �(fǎng)�(wèn)�(shí)�550 ns
  • 電壓 - 供電3V ~ 5.5V
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C(TA�
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝�
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商器件封�8-SOP