MAZ830000L是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率、低功耗應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有極低的�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適用于多種電源管理場景,如DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開�(guān)��
MAZ830000L屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,支持高電流操作,并在高溫環(huán)境下表現(xiàn)出優(yōu)異的�(wěn)定��
型號(hào):MAZ830000L
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.5mΩ
柵極電荷�27nC
總電容(輸入電容):450pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
MAZ830000L的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),這使其能夠顯著降低傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)的整體效�。此�,該器件具備以下�(yōu)勢:
- 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)�
- 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒�
- 緊湊的封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間
- 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成
- 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)惡劣�(huán)�
這些特點(diǎn)使得MAZ830000L成為工業(yè)級和汽車級應(yīng)用的理想選擇�
MAZ830000L廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場�,包括但不限于:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- DC-DC�(zhuǎn)換器
- 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
- 電池管理系統(tǒng)(BMS�
- 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)
- 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模�
由于其低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,MAZ830000L特別適合需要高能效和小尺寸解決方案的應(yīng)用領(lǐng)��
MAZ830001L, IRF3205, FDP16N06L