MSASL063BB5105MFNB33 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� Infineon(英飛凌)公司的 OptiMOS 系列。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,非常適合用于開關電�、DC-DC 轉換器、電機驅動以及負載開關等應用領域�
該芯片為 N 溝道增強型場效應晶體管,其封裝形式為 LFPAK88 封裝,具有出色的熱性能和電氣性能,能夠滿足高功率密度設計的需��
型號:MSASL063BB5105MFNB33
類型:N溝道功率 MOSFET
Vds(漏源電壓)�30V
Rds(on)(導通電�,典型值)�0.51mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):279A
Qg(柵極電荷)�48nC
Eoss(輸出電容能量損耗)�3.1μJ
Ciss(輸入電容)�3050pF
Pd(最大功耗)�195W
封裝:LFPAK88
MSASL063BB5105MFNB33 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電� Rds(on),能夠在高頻開關條件下減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高額定電� Id,支持大電流應用需��
3. 低柵極電� Qg 和優(yōu)化的開關特性,有助于降低開關損��
4. 出色的熱性能,確保在高功率應用場景中的穩(wěn)定運��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠性高�
6. 支持汽車級標� AEC-Q101 認證,適用于嚴苛�(huán)境下的工�(yè)及汽車應��
該功� MOSFET 主要應用于以下場景:
1. 開關電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC 轉換�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的電機驅動
4. 工業(yè)自動化設備中的負載開�
5. 通信電源和服務器電源模塊
6. 大功� LED 驅動電路
7. 電池管理系統(tǒng)中的充放電控�