MA0402CG220J100 是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效功率晶體�,專為高頻、高效率應用場景設計。該器件采用增強型場效應晶體管(e-mode FET)結構,具有低導通電阻和快速開關速度的特�,適用于各種開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和無線充電等應用領域�
這款芯片通過�(yōu)化的柵極�(qū)動設計和熱管理性能,能夠在高頻工作條件下提供卓越的效率表現(xiàn),同時其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的應用場景�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�22A
導通電阻:25mΩ
柵極電荷�80nC
開關頻率:最高支�5MHz
封裝形式:TO-247-3L
工作溫度范圍�-55℃至+175�
1. 極低的導通電�,有效降低傳導損耗�
2. 高頻開關能力,適合高頻電力電子應��
3. �(nèi)置過流保護和短路保護功能,提升系�(tǒng)可靠性�
4. 采用氮化鎵材�,具備更高的能效和更好的熱穩(wěn)定��
5. 小尺寸封�,節(jié)省PCB空間并簡化設計布局�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 無線充電模塊
4. 工業(yè)電機�(qū)�
5. 太陽能逆變�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的高效電源管理
MA0402CG220K100
GA600N220W1
NexFET CSD19532KCS