M51957BFP#DF0R 是一種高速、低功耗的 CMOS 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM),由富士通(�(xiàn)為索喜科技)生�(chǎn)。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,能夠在較低的電壓下工作,并提供高可靠性和快速訪問時(shí)間。其�(shè)�(jì)適用于需要高性能和低功耗的�(yīng)用場�,例如通信�(shè)�、工�(yè)控制、消�(fèi)類電子產(chǎn)品以及嵌入式系統(tǒng)等�
該型號具有較高的集成度和可靠�,能夠滿足現(xiàn)代電子系�(tǒng)對數(shù)�(jù)存儲的需�。此�,它支持多種工作模式以優(yōu)化性能和功��
存儲容量�512K x 8 bits
電源電壓(Vcc)�1.6V ~ 3.6V
工作電流:最� 10mA(典型值)
待機(jī)電流:最� 1μA(典型值)
訪問�(shí)間:7ns(典型值)
�(shù)�(jù)保持�(shí)間:無限
封裝形式:FBGA-48
工作溫度范圍�-40� ~ +85�
引腳間距�1mm
M51957BFP#DF0R 的主要特性包括:
1. 快速訪問時(shí)間:這款 SRAM 芯片具有非常短的訪問�(shí)�,能夠確保在高頻操作下的�(shù)�(jù)傳輸速度�
2. 低功耗設(shè)�(jì):通過�(yōu)化電路結(jié)�(gòu),芯片能夠在保證性能的同�(shí)降低功耗,非常適合電池供電�(shè)��
3. 高可靠性:具備較強(qiáng)的抗干擾能力,在惡劣�(huán)境下也能�(wěn)定運(yùn)��
4. 寬電壓范圍:支持� 1.6V � 3.6V 的寬電壓范圍,方便與不同類型的主控芯片連接�
5. 小型化封裝:采用 FBGA 封裝,節(jié)� PCB 空間并提高焊接可靠��
6. 多種省電模式:提供不同的工作模式,允許用戶根�(jù)�(shí)際需求選擇最佳功耗方��
M51957BFP#DF0R 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動化設(shè)備:� PLC � CNC �(jī)床中的緩存存��
2. 通信�(wǎng)�(luò)�(shè)備:路由�、交換機(jī)等需要臨�(shí)存儲大量�(shù)�(jù)的場景�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:�(shù)字電�、音頻處理設(shè)備等需要快速數(shù)�(jù)讀寫功能的�(chǎn)��
4. 嵌入式系�(tǒng):微控制器擴(kuò)展內(nèi)存,用于保存�(guān)鍵數(shù)�(jù)或程序代��
5. �(yī)療儀器:心電圖儀、超聲波診斷�(shè)備等需要高精度和低延遲的數(shù)�(jù)處理任務(wù)�
M51957BFPR#WU0R, M51957BFP#WU0R