LSF0204RUTR 是一款小尺寸、低電感的功� MOSFET 芯片,采用超� UT(Ultra Thin)封裝形�。該芯片基于先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有出色的開�(guān)性能和導(dǎo)通特�,適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。其封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,同�(shí)支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
LSF0204RUTR 的主要特�(diǎn)是低 RDS(on) 和極小的寄生電感,這使得它在高頻工作條件下仍能保持高效的性能表現(xiàn)�
型號(hào):LSF0204RUTR
封裝:UT (Ultra Thin)
VDS(漏源電壓)�30V
RDS(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.6mΩ
ID(持�(xù)漏電流)�150A
Qg(總柵極電荷):30nC
EAS(雪崩能量)�125mJ
fSW(推薦開�(guān)頻率):高達(dá) 2MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
�(jié)溫:+175°C
LSF0204RUTR 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可有效降低功率損��
2. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間�
3. 高電流承載能力,支持高達(dá) 150A 的連續(xù)漏電��
4. 支持高頻率操�,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
5. 超薄封裝�(jié)�(gòu),有助于改善散熱性能�
6. 出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠承受較高的結(jié)��
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
8. �(nèi)部寄生電感極�,減少開�(guān)噪聲和電壓尖��
這些特點(diǎn)� LSF0204RUTR 成為高效功率�(zhuǎn)換電路的理想選擇�
LSF0204RUTR 廣泛�(yīng)用于以下場景�
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 開關(guān)電源模塊中的同步整流電路�
3. 電動(dòng)工具及電�(jī)�(qū)�(dòng)中的功率控制�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)�
5. 可再生能源設(shè)備(如太陽能逆變器)中的功率管理�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
由于其高效率和緊湊的�(shè)�(jì),LSF0204RUTR 在需要高性能功率處理和空間受限的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
LSF0204RDTA, LSF0204RUHR, LSF0204RSTP