GA1210A182JBLAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、低損耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�,能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效率和系統(tǒng)可靠��
其主要用途包括開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。此外,該器件具備強(qiáng)大的過流保護(hù)和熱�(guān)斷功�,確保在極端條件下也能安全運(yùn)��
型號(hào):GA1210A182JBLAT31G
類型:N溝道功率MOSFET
Vds(漏源極電壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�1.8mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
Qg(柵極電荷)�45nC
Vgs(th)(閾值電壓)�2.5V
fsw(最大工作頻率)�1MHz
封裝形式:TO-247-3
GA1210A182JBLAT31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其超低的�(dǎo)通電� Rds(on),僅� 1.8mΩ,從而大幅降低了�(dǎo)通損耗并提高了整體效�。此外,該器件的工作頻率高達(dá) 1MHz,非常適合高頻開�(guān)�(yīng)��
� 60V 的耐壓能力使得它能夠在多種工業(yè)�(jí)電壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,同�(shí)支持高達(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流輸出,保證了大功率需求下的性能表現(xiàn)�
�(nèi)置的過流保護(hù)和熱�(guān)斷機(jī)制�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的可靠性和安全�,減少了因過載或異常情況�(dǎo)致的損壞�(fēng)�(xiǎn)�
另外,該芯片的柵極電� Qg 較小,僅� 45nC,這有助于降低開關(guān)損耗并提高�(dòng)�(tài)響應(yīng)速度�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (Switching Power Supplies)
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng) (Motor Drivers)
4. 電池管理系統(tǒng) (Battery Management Systems)
5. 高效�(fù)載開�(guān) (Efficient Load Switches)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
7. 新能源汽車相�(guān)的逆變器與充電系統(tǒng)
由于其高�、穩(wěn)定的特性,GA1210A182JBLAT31G 成為許多需要高功率密度解決方案的理想選��
IRF3205, SI4945DY, FDP5500NL