LQW18AN15NG00D 是一款由羅姆(ROHM)生�(chǎn)的高功率、低導通電阻的 N 溝道增強� MOSFET。該型號采用小型化封裝設(shè)�,主要適用于需要高效開�(guān)性能和低功耗的�(yīng)用場景�
該芯片在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠滿足嚴格的能效要求,并且具備出色的熱性能和耐用�,適合各種工�(yè)和消費類電子�(shè)備�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�28A
最大柵源電壓:±20V
導通電阻(典型值)�3.9mΩ
柵極電荷(典型值)�77nC
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝類型:TO-263-3
LQW18AN15NG00D 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高耐壓能力,額定漏源電壓為 60V,能夠在寬電壓范圍內(nèi)�(wěn)定運行�
3. 支持大電流操�,最大連續(xù)漏極電流可達 28A,適用于高功率應(yīng)用場景�
4. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下依然保持優(yōu)異性能�
5. 小型化封裝設(shè)�,便于集成到緊湊型電路板中�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且安全可靠�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流��
2. 直流電機�(qū)動器中的功率級元��
3. 工業(yè)逆變器和變頻器中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載切換開�(guān)�
5. 各種消費類電子產(chǎn)品中的電源管理單元�
6. LED �(qū)動器和其他需要高效功率控制的場合�
LQW18AN15NG00D 的常見替代型號包括:
LQW18AN15TG00D
IRLB8748PBF
FDP16N10
STP16NF06L