類型：MOSFET
　　極性：N溝道
　　最大漏源電壓(Vdss)：30V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：2.8mΩ（典型值，Vgs=10V時(shí)）
　　連續(xù)漏極電流(Id)：56A
　　封裝形式：LFPAK11
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　結(jié)溫：175°C

LQP11A2N7C02T1M00-01 具有非常低的導(dǎo)通電阻，這使得它在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)出色，能夠顯著減少傳導(dǎo)損耗。此外，該器件還具備出色的熱穩(wěn)定性，在高溫環(huán)境下仍可保持穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
　　這款MOSFET采用了LFPAK11封裝技術(shù)，這種封裝方式不僅體積小而且散熱性能優(yōu)異，非常適合用于高密度布局設(shè)計(jì)。同時(shí)，它支持自動(dòng)貼片工藝，有助于提升生產(chǎn)效率。
　　此外，LQP11A2N7C02T1M00-01 的高雪崩能力也使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下提供可靠保護(hù)。

LQP11A2N7C02T1M00-01 可應(yīng)用于多種電子設(shè)備中，特別是在那些對(duì)效率和空間要求較高的場(chǎng)合。常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)元件
　　3. 負(fù)載開(kāi)關(guān)
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制
　　5. 電池保護(hù)電路
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理單元
　　由于其卓越的電氣特性和緊湊的封裝尺寸，該器件成為眾多高性能電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的理想選擇。

LQP11A2N7C02T1M00