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AO3413 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/5/16 14:43:04 查看 閱讀�4706

AO3413是一款高性能N溝道MOSFET晶體管,由Alpha & Omega Semiconductor公司生產(chǎn)。它具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率電子�(yīng)用�
  AO3413的導(dǎo)通電阻很�,通常�3.8mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀�(tài)�,它可以承受較大的電流而不�(huì)�(chǎn)生過(guò)多的功�。這使得AO3413非常適合用于高效率的功率�(zhuǎn)換器和放大器�(shè)�(jì)中�
  此外,AO3413具有快速的�(kāi)�(guān)速度,這意味著它可以迅速切換開(kāi)�(guān)狀�(tài)。這對(duì)于需要頻繁開(kāi)�(guān)的應(yīng)用非常重�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器或PWM�(diào)光控制器??焖俚拈_(kāi)�(guān)速度可以減少�(kāi)�(guān)�(guò)程中的能量損�,并提高系統(tǒng)的效��
  AO3413還具有低壓驅(qū)�(dòng)能力,只需很低的門極電壓即可完全導(dǎo)�。這使得它非常適合低電壓應(yīng)用,尤其是便攜設(shè)備和電池供電系統(tǒng)�
  此外,AO3413還具有超�(guò)3A的電流承載能力和低靜�(tài)功�。它還具有瞬�(tài)�(guò)電壓保護(hù)和ESD保護(hù)等特性,提高了系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
  總之,AO3413是一款高性能的N溝道MOSFET晶體�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和低壓驅(qū)�(dòng)能力的特�(diǎn),適用于各種功率電子�(yīng)用。它的性能使得它成為設(shè)�(jì)高效、可靠的電力電子系統(tǒng)的理想選��

參數(shù)和指�(biāo)

�(dǎo)通電阻:通常�3.8mΩ
  最大電流承載能力:超過(guò)3A
  低壓�(qū)�(dòng)能力:低門極電壓即可完全導(dǎo)�
  �(kāi)�(guān)速度:快速開(kāi)�(guān)速度
  靜態(tài)功耗:低靜�(tài)功�
  特性保�(hù):瞬�(tài)�(guò)電壓保護(hù)和ESD保護(hù)

組成�(jié)�(gòu)

AO3413晶體管是由N溝道MOSFET組成,其中包括源�、漏極和柵極。源極和漏極之間的導(dǎo)電路徑由溝道控制,而柵極用于控制溝道的�(dǎo)電狀�(tài)�

工作原理

�(dāng)柵極電壓高于源極電壓�(shí),柵極和源極之間形成一�(gè)正偏�,使得柵�-源極之間的溝道導(dǎo)�。當(dāng)柵極電壓低于源極電壓�(shí),柵�-源極之間的溝道不�(dǎo)電。通過(guò)改變柵極電壓,可以控制源極和漏極之間的電流流�(dòng)�

技�(shù)要點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻:AO3413具有低導(dǎo)通電阻,可以承受較大電流而不�(huì)�(chǎn)生過(guò)多功��
  高開(kāi)�(guān)速度:AO3413具有快速的�(kāi)�(guān)速度,可以迅速切換開(kāi)�(guān)狀�(tài),減少能量損耗�
  低壓�(qū)�(dòng)能力:AO3413只需低門極電壓即可完全導(dǎo)�,適用于低電壓應(yīng)��
  特性保�(hù):AO3413具有瞬態(tài)�(guò)電壓保護(hù)和ESD保護(hù),提高系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)AO3413的流程包括電路設(shè)�(jì)、原理圖�(shè)�(jì)、布局�(shè)�(jì)、電路模擬和�(yàn)�。在電路�(shè)�(jì)�,需要考慮電路的工作條件和要求,并選擇合適的元件參�(shù)。原理圖�(shè)�(jì)是將電路�(shè)�(jì)�(zhuǎn)化為電路�,并�(jìn)行電路連接和元件布局。布局�(shè)�(jì)是將電路布局在PCB板上,保證信�(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和可靠�。電路模擬和�(yàn)證是通過(guò)仿真軟件�(jìn)行電路性能的模擬和�(yàn)�,確�(rèn)電路�(shè)�(jì)的正確性和可行��

注意事項(xiàng)

�(shè)�(jì)�(shí)需要注意AO3413的工作條件和限制,例如最大電流承載能力和最大工作溫度等�
  需要合理選擇AO3413的工作電壓和電流范圍,以滿足�(yīng)用需��
  在布局�(shè)�(jì)中需要考慮信號(hào)傳輸?shù)姆€(wěn)定性和電磁兼容性�
  在電路模擬和�(yàn)證中需要�(jìn)行準(zhǔn)確的參數(shù)�(shè)置和仿真分析,以確保電路的性能和穩(wěn)定��

ao3413推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

ao3413資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載
  • AO3413
  • P-Channel Enhancement Mode Field Eff...
  • AOSMD
  • 閱覽

ao3413參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C97 毫歐 @ 3A�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs6.1nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds540pF @ 10V
  • 功率 - 最�1.4W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23-3
  • 包裝Digi-Reel?
  • 其它名稱785-1008-6