LQP03TN6N2H02D 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的 N 灃道開關(guān) MOSFET,采� USP-6B 封裝形式。該器件適用于需要高效率和節(jié)省空間的�(yīng)用場(chǎng)�,例如便攜式�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電池管理電路�
由于其小尺寸和出色的電氣性能,這款 MOSFET 在消�(fèi)電子、通信�(shè)備和工業(yè)控制�(lǐng)域中得到了廣泛應(yīng)��
最大漏源電壓:6V
最大連續(xù)漏極電流�2.9A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.7mΩ
柵極閾值電壓(典型值)�1.1V
封裝形式:USP-6B
工作溫度范圍�-55� � 150�
LQP03TN6N2H02D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 超小型封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型電路布局�
3. 高耐熱性和寬廣的工作溫度范�,確保在各種�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
4. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 手機(jī)和平板電腦等便攜式設(shè)備中的電源管理模��
2. 各種 DC-DC �(zhuǎn)換器及同步整流電��
3. 電池保護(hù)和充電管理系�(tǒng)�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和信�(hào)切換電路�
5. �(shù)�(jù)通信接口保護(hù)與隔離電路�
LQP03TN6N2H02DSR