LQP03TN0N6B02D是一款由ROHM公司生產(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的N溝道功率MOSFET芯片,采用USP-6B封裝形式。該�(chǎn)品主要針對空間受限的�(yīng)用場景設(shè)�(jì),具備出色的散熱性能和高效的開關(guān)特性,適用于各種便攜式電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)、電源管理以及保�(hù)電路等場��
這款MOSFET具有非常低的�(dǎo)通電�,從而減少功率損耗并提升整體效率。此�,其緊湊的封裝形式使其非常適合對尺寸要求�(yán)格的�(xiàn)代電子產(chǎn)��
型號:LQP03TN0N6B02D
制造商:ROHM
類型:N溝道功率MOSFET
VDS(漏源極擊穿電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�140mΩ(典型�,在VGS=10V時)
IDS(連續(xù)漏極電流):2.6A
封裝:USP-6B(超小型表面貼裝�
工作溫度范圍�-55℃至+150�
柵極電荷(Qg):9nC(典型值)
1. 超低�(dǎo)通電阻:在特定的柵極�(qū)動電壓下,該MOSFET提供非常低的RDS(on),有助于降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 小型化設(shè)�(jì):采用USP-6B封裝,尺寸僅�1.2mm x 1.6mm,適合于高密度PCB布局�
3. 高可靠性:通過�(yōu)化的半導(dǎo)體制造工藝,確保了器件在寬溫范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)��
4. 快速開�(guān)能力:較小的柵極電荷允許更快的開�(guān)速度,�(jìn)而減少開�(guān)損��
5. �(huán)保材料:符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),使用無鉛端�,滿足綠色環(huán)保要求�
LQP03TN0N6B02D廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)控制,如智能手機(jī)、平板電腦和其他便攜式設(shè)��
2. 開關(guān)電源(SMPS)及DC/DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 過流保護(hù)和短路保�(hù)電路中的�(guān)鍵組��
4. 各種電池供電�(shè)備中的電源管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備的小信號控制和�(qū)動電��
LQP03TN0N6B02D-S1