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NTD6416ANLT4G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 2:03:48 查看 閱讀�13

NTD6416ANLT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用邏輯電平驅動設�,適用于高頻開關和功率轉換應�。該器件具有低導通電� (Rds(on)) 和快速開關特性,能夠顯著提高效率并降低功��
  其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,廣泛應用于消費電子、通信設備和工�(yè)控制等領��

參數

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�18A
  導通電阻:3.5mΩ
  總柵極電荷:39nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � 175�

特�

NTD6416ANLT4G 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電�,能夠在高電流條件下保持較低的功耗�
  2. 高雪崩能力,提供更強的瞬�(tài)保護功能�
  3. 快速開關性能,減少開關損耗,提升系統(tǒng)效率�
  4. 支持邏輯電平驅動,可直接與微控制器或邏輯電路配合使用�
  5. 寬泛的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的應用�
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�

應用

這款 MOSFET 可用于多種電力電子場�,例如:
  1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC-DC 轉換器中的高頻開��
  3. 電機驅動電路中的功率級控��
  4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載切換�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
  6. 便攜式電子設備中的高效能量轉��

替代型號

NTD6416NLT4G, FDP5502, IRF7739TRPBF

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ntd6416anlt4g參數

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C19A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C74 毫歐 @ 19A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs40nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1000pF @ 25V
  • 功率 - 最�71W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應商設備封�D-Pak
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱NTD6416ANLT4G-NDNTD6416ANLT4GOSTR