NTD6416ANLT4G 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采用邏輯電平驅動設�,適用于高頻開關和功率轉換應�。該器件具有低導通電� (Rds(on)) 和快速開關特性,能夠顯著提高效率并降低功��
其封裝形式為 TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,廣泛應用于消費電子、通信設備和工�(yè)控制等領��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�18A
導通電阻:3.5mΩ
總柵極電荷:39nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55� � 175�
NTD6416ANLT4G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,能夠在高電流條件下保持較低的功耗�
2. 高雪崩能力,提供更強的瞬�(tài)保護功能�
3. 快速開關性能,減少開關損耗,提升系統(tǒng)效率�
4. 支持邏輯電平驅動,可直接與微控制器或邏輯電路配合使用�
5. 寬泛的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的應用�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛�
這款 MOSFET 可用于多種電力電子場�,例如:
1. 開關電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC-DC 轉換器中的高頻開��
3. 電機驅動電路中的功率級控��
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的負載切換�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊�
6. 便攜式電子設備中的高效能量轉��
NTD6416NLT4G, FDP5502, IRF7739TRPBF