LQP03TG1N5B02D 是一款由羅姆(ROHM)生產的低導通電阻的 N 灃道場效應晶體管(N-MOSFET�。該器件采用小型封裝,適合在空間受限的應用中使用。其設計旨在滿足高效開關和低功耗的需�,廣泛應用于消費電子、通信設備和工�(yè)控制領域�
該產品具有出色的導通特性和較低的柵極電�,能夠顯著減少開關損耗并提高系統(tǒng)的整體效��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.8A
導通電阻(Rds(on)):47mΩ
柵極電荷�12nC
總電容:195pF
工作結溫范圍�-55� � +150�
封裝類型:USP-6B
LQP03TG1N5B02D 的主要特點是低導通電阻和高開關速度。它采用了先進的制造工藝,使得� Rds(on) 值僅� 47mΩ,在高電流應用中可以有效降低功率損��
此外,其小型化的 USP-6B 封裝非常適合用于� PCB 空間要求嚴格的場�。同�,該 MOSFET 的柵極電荷較�,有助于減少開關過程中的能量損失,并提高了系�(tǒng)的工作效��
由于其耐壓能力達到 30V,該器件適用于多種低至中等電壓的應用�(huán)�,如負載開關、DC-DC 轉換器以及電池管理電路等�
LQP03TG1N5B02D 廣泛應用于各種需要高效功率轉換和開關功能的場景中。例如:
1. 消費電子產品中的負載開關,如智能手機和平板電腦�
2. DC-DC 轉換�,用作同步整流或主開關元件�
3. 電池保護電路,實�(xiàn)過流、短路保護等功能�
4. 工業(yè)自動化設備中的信號切換和功率調節(jié)�
5. LED 驅動�,提供精確的電流控制以確保照明效果的一致��
LQP03TG1N5B02D-P1
LQP03TG1N5B02D-FP