LQH2HPN100MG0L 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,采� LFPAK56 封裝形式。該芯片主要針對高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載切換等�(yīng)用而設(shè)�。它具備低導通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能�
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其優(yōu)化的溝道�(jié)�(gòu)和先進的制造工藝使其在高頻工作條件下表�(xiàn)�(yōu)�。同�,LQH2HPN100MG0L 的封裝具有出色的散熱性能,非常適合空間受限的�(yīng)用場��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓(VDS):100V
最大柵源電壓(VGS):±20V
最大漏極電流(IDS):-47A
導通電阻(RDS(on)):1.8mΩ(典型�,VGS=10V�
柵極電荷(Qg):43nC
輸入電容(Ciss):3300pF
輸出電容(Coss):190pF
反向傳輸電容(Crss):37pF
開關(guān)時間:ton=15ns,toff=28ns
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:LFPAK56
LQH2HPN100MG0L 以其卓越的電氣特性和可靠性著�,以下是其主要特性:
1. 極低的導通電� (RDS(on)),有效降低導通損�,提升效��
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
3. 高耐壓能力 (100V),滿足多種應(yīng)用場景的需��
4. 小型化的 LFPAK56 封裝,節(jié)� PCB 空間�
5最高可� 47A�
6. 出色的熱性能,能夠承受高溫環(huán)��
7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
8. �(nèi)部集� ESD 保護功能,增強抗干擾能力�
這些特性使� LQH2HPN100MG0L 成為高效功率�(zhuǎn)換和控制的理想選��
LQH2HPN100MG0L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 電動車和電動工具的電池管理系�(tǒng)�
7. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
由于其高性能和緊湊封�,LQH2HPN100MG0L 特別適合需要高效率和小型化�(shè)計的電子�(shè)備�
LQH2HPN100MKS0L, IRFZ44N, AO3400A