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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LQH2HPN100MG0L

LQH2HPN100MG0L 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 16:08:43 查看 閱讀�19

LQH2HPN100MG0L 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的高性能功率 MOSFET 芯片,采� LFPAK56 封裝形式。該芯片主要針對高效率開�(guān)電源、電機驅(qū)動以及負載切換等�(yīng)用而設(shè)�。它具備低導通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低系統(tǒng)功耗并提升整體性能�
  這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器件,其優(yōu)化的溝道�(jié)�(gòu)和先進的制造工藝使其在高頻工作條件下表�(xiàn)�(yōu)�。同�,LQH2HPN100MG0L 的封裝具有出色的散熱性能,非常適合空間受限的�(yīng)用場��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓(VDS):100V
  最大柵源電壓(VGS):±20V
  最大漏極電流(IDS):-47A
  導通電阻(RDS(on)):1.8mΩ(典型�,VGS=10V�
  柵極電荷(Qg):43nC
  輸入電容(Ciss):3300pF
  輸出電容(Coss):190pF
  反向傳輸電容(Crss):37pF
  開關(guān)時間:ton=15ns,toff=28ns
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:LFPAK56

特�

LQH2HPN100MG0L 以其卓越的電氣特性和可靠性著�,以下是其主要特性:
  1. 極低的導通電� (RDS(on)),有效降低導通損�,提升效��
  2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用�
  3. 高耐壓能力 (100V),滿足多種應(yīng)用場景的需��
  4. 小型化的 LFPAK56 封裝,節(jié)� PCB 空間�
  5最高可� 47A�
  6. 出色的熱性能,能夠承受高溫環(huán)��
  7. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且可靠�
  8. �(nèi)部集� ESD 保護功能,增強抗干擾能力�
  這些特性使� LQH2HPN100MG0L 成為高效功率�(zhuǎn)換和控制的理想選��

�(yīng)�

LQH2HPN100MG0L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流器�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
  4. 各類負載切換和保護電��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
  6. 電動車和電動工具的電池管理系�(tǒng)�
  7. 太陽能逆變器及其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
  由于其高性能和緊湊封�,LQH2HPN100MG0L 特別適合需要高效率和小型化�(shè)計的電子�(shè)備�

替代型號

LQH2HPN100MKS0L, IRFZ44N, AO3400A

lqh2hpn100mg0l推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

lqh2hpn100mg0l資料 更多>

  • 型號
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lqh2hpn100mg0l參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列LQH2
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 類型鼓芯,繞線式
  • 材料 - 磁芯鐵氧�
  • 電感10 μH
  • 容差±20%
  • 額定電流(安培)490 mA
  • 電流 - 飽和 (Isat�700mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 電阻 (DCR)876 毫歐最�
  • 不同頻率� Q �-
  • 頻率 - 自諧�10MHz
  • 等級-
  • 工作溫度-40°C ~ 85°C
  • 電感頻率 - 測試1 MHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼1008�2520 公制�
  • 供應(yīng)商器件封�1008�2520 公制�
  • 大小 / 尺寸0.098" � x 0.079" 寬(2.50mm x 2.00mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.039"�1.00mm�