LQG15HS1N0S02D是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的低導通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用USP-6B封裝,具有出色的開關性能和低導通損耗特�,適用于多種電源管理場景。其主要特點是能夠在高電流條件下保持較低的導通電阻,同時具備良好的熱特性和可靠��
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�-15A
導通電阻(典型值)�2.9mΩ
柵極-源極電壓(最大值):�20V
功耗(最大值)�35W
工作結溫范圍�-55℃至175�
LQG15HS1N0S02D是一款專為高效能應用設計的P溝道MOSFET�
它具有超低的導通電�,可以有效減少功率損��
此外,其USP-6B封裝方式有助于提升散熱性能,適合緊湊型設計�
由于采用了先進的制造工�,該器件在高頻開關應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,并且能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊�
它的高可靠性使其非常適合于要求嚴格的工�(yè)和汽車電子領域�
該芯片廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動電路以及電池保護電��
在消費電子領�,它可以用于筆記本電腦適配器、智能手機快充模塊等�
工業(yè)領域�,這款MOSFET可用于可編程邏輯控制器(PLC�、逆變器和其他高性能電源管理系統(tǒng)�
另外,在汽車電子領域,該器件也可以用作引擎控制單元(ECU)中的關鍵元��
LQG15HS1N0T02D