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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LQG15HS1N0S02D

LQG15HS1N0S02D 發(fā)布時間 時間�2025/5/7 13:03:11 查看 閱讀�23

LQG15HS1N0S02D是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的低導通電阻的P溝道功率MOSFET。該器件采用USP-6B封裝,具有出色的開關性能和低導通損耗特�,適用于多種電源管理場景。其主要特點是能夠在高電流條件下保持較低的導通電阻,同時具備良好的熱特性和可靠��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�-15A
  導通電阻(典型值)�2.9mΩ
  柵極-源極電壓(最大值):�20V
  功耗(最大值)�35W
  工作結溫范圍�-55℃至175�

特�

LQG15HS1N0S02D是一款專為高效能應用設計的P溝道MOSFET�
  它具有超低的導通電�,可以有效減少功率損��
  此外,其USP-6B封裝方式有助于提升散熱性能,適合緊湊型設計�
  由于采用了先進的制造工�,該器件在高頻開關應用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能,并且能夠承受較高的瞬態(tài)電壓沖擊�
  它的高可靠性使其非常適合于要求嚴格的工�(yè)和汽車電子領域�

應用

該芯片廣泛應用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開關、電機驅(qū)動電路以及電池保護電��
  在消費電子領�,它可以用于筆記本電腦適配器、智能手機快充模塊等�
  工業(yè)領域�,這款MOSFET可用于可編程邏輯控制器(PLC�、逆變器和其他高性能電源管理系統(tǒng)�
  另外,在汽車電子領域,該器件也可以用作引擎控制單元(ECU)中的關鍵元��

替代型號

LQG15HS1N0T02D

lqg15hs1n0s02d推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
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lqg15hs1n0s02d參數(shù)

  • �(chǎn)品培訓模�Inductor Products
  • 標準包裝10
  • 類別電感�,線圈,扼流�
  • 家庭固定�
  • 系列LQG15HS
  • 電感1nH
  • 電流300mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型空氣芯體
  • 容差±0.3nH
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻(DCR)最� 70 毫歐
  • Q因子@頻率8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧�10GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz
  • 其它名稱490-2610-6