FQD5N15是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。它通常用于開關(guān)和放大應(yīng)用中,具有低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及良好的耐熱性能。這種MOSFET適用于多種電源管理場�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)和電機驅(qū)動等�
最大漏源電壓:150V
最大柵源電壓:±20V
最大漏極電流:5A
�(dǎo)通電阻:0.4Ω
總功耗:135W
工作溫度范圍�-55� to 150�
FQD5N15具備以下顯著特點�
1. 高擊穿電壓,適合高壓�(yīng)用場景�
2. 極低的導(dǎo)通電�,在高電流條件下能有效減少功率損耗�
3. 快速開�(guān)能力,有助于降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率�
4. 緊湊的封裝形式使其易于集成到各種電路�(shè)計中�
5. 具備出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在惡劣環(huán)境下長期運行�
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開�(guān)�
2. 各類電機�(qū)動電路中的電子開�(guān)�
3. 電池保護與管理系�(tǒng)中的�(fù)載控制�
4. DC-DC�(zhuǎn)換器和LED�(qū)動器中的高效切換元件�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號隔離與功率傳輸模塊�
IRF540N
STP55NF06
FQP50N06L