LNTR4003NLT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),由 Wolfspeed(原 Cree)生�(chǎn)。該器件專為高頻和高功率�(yīng)用而設(shè)計,適用于射頻放大器、通信系統(tǒng)、雷達以及測試測量設(shè)備等場景。LNTR4003NLT1G 提供了卓越的效率和增益性能,同時具有寬帶寬特性,使其成為高性能射頻系統(tǒng)的理想選��
該器件采用塑封表面貼裝封裝形式,便于在各� PCB 板上集成,并且其出色的熱性能進一步提升了系統(tǒng)的可靠性。此�,由� GaN 技�(shù)的固有優(yōu)�,LNTR4003NLT1G 能夠在更高的電壓下工�,從而實�(xiàn)更高的輸出功率密��
型號:LNTR4003NLT1G
類型:GaN HEMT
漏源擊穿電壓�100 V
最大漏極電流:6 A
柵極-源極電壓范圍�-5 V � +8 V
輸出功率(典型值)�50 W
頻率范圍:DC � 6 GHz
增益(典型值)�12 dB
插入損耗:� 2.5 dB
效率(典型值)�70%
封裝形式:SMD 表面貼裝
工作溫度范圍�-55°C � +125°C
LNTR4003NLT1G 的主要特點是利用氮化鎵技�(shù)提供的高功率密度和高效率。相比傳�(tǒng)的硅� LDMOS 或� MOSFET 器件,這款 GaN 晶體管能夠在更寬的頻率范圍內(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
1. **高功率密�**:通過支持高達 100 V 的漏源電壓和 6 A 的峰值電�,LNTR4003NLT1G 可以提供比傳�(tǒng) RF 功率晶體管更高的輸出功率�
2. **寬頻帶能�**:從 DC � 6 GHz 的頻率覆蓋范圍使得該晶體管非常適合多種無線通信�(xié)議和雷達�(yīng)��
3. **高效率與低失�**:在高頻操作�,LNTR4003NLT1G 展現(xiàn)出超� 70% 的功率附加效� (PAE),并具備較低的線性失真特性�
4. **可靠性和散熱管理**:得益于�(yōu)化的封裝�(shè)計和 GaN 材料的高導熱�,該器件能夠承受極端的工作條�,同時保持較長壽命�
5. **易于�(qū)�**:合理的柵極閾值電壓設(shè)置簡化了外部偏置電路的設(shè)計過��
LNTR4003NLT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. **無線基礎(chǔ)�(shè)�**:用于基站功放模塊中,特別是� 4G LTE 和新興的 5G �(wǎng)�(luò)部署�
2. **航空航天與國�**:包括相控陣雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星通信鏈路及電子對抗裝��
3. **工業(yè)科學�(yī)� (ISM)**:例如超聲波儀器、激光激�(fā)電源以及其他需要大功率射頻信號生成的應(yīng)��
4. **測試測量�(shè)�**:作為信號源或放大器組件,服�(wù)于研�(fā)實驗室中的高性能測試平臺�
5. **物聯(lián)�(wǎng) (IoT)**:為遠程傳感器節(jié)點提供可靠的連接解決方案�
LNTR4002NLT1G, LNTR4004NLT1G