GA0603Y153MBAAR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,采用增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET)設(shè)計。該器件具有高開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特性,廣泛�(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及無線充電等�(lǐng)��
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,GaN器件能夠在更高的頻率下工作,并提供更低的開關(guān)損�,非常適合要求高性能和小尺寸的應(yīng)用場景�
型號:GA0603Y153MBAAR31G
類型:增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ(典型��25°C�
擊穿電壓(BVDSS):600 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.5 V ~ 3 V
最大漏極電流(Id):15 A
封裝形式:QFN-8x8mm
工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C
GA0603Y153MBAAR31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,有助于減少傳導(dǎo)和開�(guān)損��
2. 高開�(guān)頻率支持,能�?qū)崿F(xiàn)更緊湊的電源解決方案�
3. 熱性能�(yōu)越,封裝�(shè)計優(yōu)化以提高散熱能力�
4. �(nèi)置ESD保護功能,增強了器件的可靠性和耐用��
5. 與傳�(tǒng)硅基MOSFET引腳兼容,便于設(shè)計升級和替代�
6. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),適�(yīng)多種�(yīng)用需��
該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 通信�(shè)備中的電源模��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動電��
4. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電器和DC-DC變換��
5. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
6. 快速充電器和無線充電設(shè)��
由于其高頻性能和高效特�,特別適合需要高功率密度的設(shè)��
GA0603Y153MBBAR31G
GAN063-650WSA
LMG3411R030