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GA0603Y153MBAAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 16:31:11 查看 閱讀�18

GA0603Y153MBAAR31G 是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,采用增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET)設(shè)計。該器件具有高開�(guān)速度、低�(dǎo)通電阻和高效率等特性,廣泛�(yīng)用于高頻電源�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及無線充電等�(lǐng)��
  相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,GaN器件能夠在更高的頻率下工作,并提供更低的開關(guān)損�,非常適合要求高性能和小尺寸的應(yīng)用場景�

參數(shù)

型號:GA0603Y153MBAAR31G
  類型:增強型場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
  材料:氮化鎵(GaN�
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):40 mΩ(典型��25°C�
  擊穿電壓(BVDSS):600 V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.5 V ~ 3 V
  最大漏極電流(Id):15 A
  封裝形式:QFN-8x8mm
  工作溫度范圍�-55°C ~ +175°C

特�

GA0603Y153MBAAR31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,有助于減少傳導(dǎo)和開�(guān)損��
  2. 高開�(guān)頻率支持,能�?qū)崿F(xiàn)更緊湊的電源解決方案�
  3. 熱性能�(yōu)越,封裝�(shè)計優(yōu)化以提高散熱能力�
  4. �(nèi)置ESD保護功能,增強了器件的可靠性和耐用��
  5. 與傳�(tǒng)硅基MOSFET引腳兼容,便于設(shè)計升級和替代�
  6. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),適�(yīng)多種�(yīng)用需��

�(yīng)�

該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC�(zhuǎn)換器�
  2. 通信�(shè)備中的電源模��
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動電��
  4. 汽車電子系統(tǒng),如車載充電器和DC-DC變換��
  5. 太陽能微型逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
  6. 快速充電器和無線充電設(shè)��
  由于其高頻性能和高效特�,特別適合需要高功率密度的設(shè)��

替代型號

GA0603Y153MBBAR31G
  GAN063-650WSA
  LMG3411R030

ga0603y153mbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.015 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 大小 / 尺寸0.063" � x 0.031" 寬(1.60mm x 0.80mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"�0.97mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-