LN6206P182MR是一款高性能的N溝道MOSFET功率晶體�,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,廣泛應用于電源管理、電機驅(qū)動和DC-DC�(zhuǎn)換等場景�。它特別適合需要高效能和緊湊設計的應用場合�
型號:LN6206P182MR
封裝:TO-263-3
Vds(漏源電壓)�60V
Rds(on)(導通電阻)�4.5mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):79A
Vgs(柵源電壓):�20V
功耗:150W
工作溫度范圍�-55℃至+175�
LN6206P182MR具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,在典型值為4.5mΩ時能夠有效減少傳導損耗,提升系統(tǒng)效率�
2. 高額定漏極電流(Id),可支持高�79A的連續(xù)電流,滿足大功率應用需求�
3. 快速開關性能,使得其在高頻開關應用中表現(xiàn)出色,如開關電源和逆變��
4. 具備�(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下正常運�,適應工�(yè)級和汽車級環(huán)境要��
5. 小型化封裝設計(TO-263-3�,有助于簡化PCB布局并節(jié)省空��
LN6206P182MR適用于多種電力電子應用場景:
1. 開關模式電源(SMPS�,包括AC-DC適配器和充電��
2. 電機�(qū)動電路,用于控制直流無刷電機或步進電��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和升�/降壓電路中的功率開關元件�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
5. 汽車電子領域中的電池管理系統(tǒng)和啟動電��
LN6206P170MR
LN6206P190MR
IRLZ44N