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LMNR8040T100M 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:00:30 查看 閱讀�24

LMNR8040T100M是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效能應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用�80V耐壓等級,并具有超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,非常適合用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動以及負(fù)載點(diǎn)(POL)�(zhuǎn)換等�(yīng)用領(lǐng)�。其緊湊的封裝形式有助于減少寄生效應(yīng)并提升整體性能�
  LMNR8040系列通過�(yōu)化柵極驅(qū)動特性來降低開關(guān)損耗,同時(shí)提供快速的開關(guān)速度,從而顯著提高效��

參數(shù)

型號:LMNR8040T100M
  耐壓�80V
  �(dǎo)通電阻:100mΩ
  連續(xù)漏極電流�36A
  柵極電荷�32nC
  反向恢復(fù)�(shí)間:無反向恢�(fù)(GaN器件固有特性)
  封裝形式:TO-263 (D2PAK)
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

LMNR8040T100M的最大特�(diǎn)在于其采用GaN材料制造,這種材料相比傳統(tǒng)的硅基器件具有更低的開關(guān)損耗和更高的頻率響�(yīng)能力�
  1. 超低�(dǎo)通電阻:100mΩ的Rds(on)值確保在高電流條件下依然保持較低的功��
  2. 高效開關(guān):得益于GaN的優(yōu)異性能,器件能�?qū)崿F(xiàn)更快的開�(guān)速度,同�(shí)降低電磁干擾(EMI)問題�
  3. 緊湊封裝:使用TO-263封裝,簡化了PCB布局�(shè)�(jì)并減少了熱阻�
  4. 寬廣的工作溫度范圍:支持�-55°C�+150°C的極端環(huán)�,適用于工業(yè)和汽車場��

�(yīng)�

LMNR8040T100M廣泛�(yīng)用于需要高性能、高效率的電子系�(tǒng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):例如服�(wù)器電�、通信�(shè)備電源和消費(fèi)類電子產(chǎn)品適配器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器:特別是在分布式電源架構(gòu)下的�(fù)載點(diǎn)�(zhuǎn)�(POL),可大幅提升�(zhuǎn)換效��
  3. 電機(jī)�(qū)動:支持電動汽車(EV)和混合動力汽�(HEV)中的逆變器模�,以及家用電器中的小型電�(jī)控制�
  4. 光伏逆變器:利用其高頻運(yùn)行能力來�(yōu)化太陽能�(fā)電系�(tǒng)的效��
  5. 快速充電器:滿足USB-PD�(xié)議要求的高功率密度設(shè)�(jì)需求�

替代型號

LMNR8040T60M
  LMNR8040T40M

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