LMBTA92LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,專為高頻和高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù)以優(yōu)化熱性能,并支持高開(kāi)�(guān)頻率下的低損耗表�(xiàn)。其典型�(yīng)用場(chǎng)景包括開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及通信�(shè)備中的功率放大器�
這款 GaN 晶體管具有內(nèi)置保�(hù)功能,能夠有效防止過(guò)壓和�(guò)流損�,同�(shí)提供極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 和快速的�(kāi)�(guān)速度,從而顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺��
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�(E-FET)
材料:氮化鎵(GaN)
最大漏源電�(Vdss)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�9A
峰值脈沖漏極電�(Ipulsed)�36A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.15Ω
柵極電荷(Qg)�45nC
反向恢復(fù)電荷(Qrr):無(wú)
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá)10MHz
工作溫度范圍�-40℃至+125�
封裝形式:TO-263-7(LD)
1. 極低的導(dǎo)通電阻和柵極電荷,確保了高效率和低功耗�
2. �(nèi)置保�(hù)功能,包括過(guò)溫保�(hù)(OTP)和過(guò)流保�(hù)(OCP),提升了系統(tǒng)的可靠性�
3. 支持高頻操作,適用于需要小型化和輕量化的功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
4. 高擊穿電壓能�,允許在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. �(wú)反向恢復(fù)電荷(Qrr),�(jìn)一步降低了�(kāi)�(guān)損耗�
6. 先�(jìn)的封裝設(shè)�(jì),增�(qiáng)了散熱性能,延�(zhǎng)了器件壽��
7. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)境友好且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS),例如服�(wù)器電源和工業(yè)電源�
2. 高頻DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電信和�(wǎng)�(luò)�(shè)備�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)�,特別是要求高效能和快速響�(yīng)的應(yīng)用�
4. 射頻功率放大�,在�(wú)線通信基站和其他射頻系�(tǒng)中�
5. 能量存儲(chǔ)系統(tǒng)中的電池充電器和逆變��
6. 新能源汽�(chē)中的�(chē)載充電器和DC-DC變換模塊�
LMG3411R030, EPC2016C, GS66508B