LLA219R71E223MA01L 是一款高性能的功率MOSFET器件,通常用于高效率開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的應(yīng)用場�。該器件采用了先�(jìn)的制程技�(shù)以優(yōu)化其�(dǎo)通電阻和開關(guān)性能,同時具有較低的柵極電荷和快速的開關(guān)速度�
這款芯片的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少功率損耗并提升整體系統(tǒng)效率。此�,它還具備良好的熱穩(wěn)定性和耐高溫能�,使其在各種�(yán)苛環(huán)境下都能保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
型號:LLA219R71E223MA01L
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�71V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�19A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.1mΩ
柵極電荷(Qg)�54nC
總電�(Ciss)�2680pF
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3
LLA219R71E223MA01L 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠有效降低傳�(dǎo)損�,從而提高系�(tǒng)效率�
2. 高擊穿電壓(71V)和大電流承載能力(19A�,適用于多種功率�(zhuǎn)換應(yīng)��
3. 快速開�(guān)速度和低柵極電荷,有助于降低開關(guān)損��
4. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì),確保了更高的散熱性能和長期可靠��
5. 寬工作溫度范圍(-55°C�+175°C),適應(yīng)惡劣的工作環(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(xiàn)代工�(yè)需求�
這些特性使� LLA219R71E223MA01L 成為許多功率電子�(shè)�(jì)中的理想選擇�
LLA219R71E223MA01L 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括AC-DC適配器和充電��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動和控制系統(tǒng)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電信和服務(wù)器電��
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
5. 電動�(EV)和混合動力車(HEV)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)及逆變��
6. 各種工業(yè)自動化和家電中的功率控制模塊�
由于其卓越的電氣特性和可靠�,這款器件非常適合要求高性能和高效率的功率轉(zhuǎn)換與控制�(yīng)��
LLA219R71E223MA02H,IRF7843,SUP75P03-08E